Справочник транзисторов. PBSS4032PX

 

Биполярный транзистор PBSS4032PX Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS4032PX
   Маркировка: *6J
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 115 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 85 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT-89
 

 Аналог (замена) для PBSS4032PX

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4032PX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  philips
pbss4032px.pdfpdf_icon

PBSS4032PX

PBSS4032PX30 V, 4.2 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 1 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4032NX.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturati

 ..2. Size:188K  nxp
pbss4032px.pdfpdf_icon

PBSS4032PX

PBSS4032PX30 V, 4.2 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 1 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4032NX.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturati

 5.1. Size:182K  philips
pbss4032pd.pdfpdf_icon

PBSS4032PX

PBSS4032PD30 V, 2.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 27 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4032ND.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Optimized switc

 5.2. Size:172K  philips
pbss4032pt.pdfpdf_icon

PBSS4032PX

PBSS4032PT30 V, 2.4 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 18 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4032NT.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Optimized sw

Другие транзисторы... PBSS4021NZ , PBSS4021PX , PBSS4021PZ , PBSS4021SN , PBSS4021SP , PBSS4021SPN , PBSS4032NX , PBSS4032NZ , BC327 , PBSS4032PZ , PBSS4032SN , PBSS4032SP , PBSS4032SPN , PBSS4041NX , PBSS4041NZ , PBSS4041PX , PBSS4041PZ .

History: BUV1O | 2N4453

 

 
Back to Top

 


 
.