Биполярный транзистор PBSS4041PZ - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PBSS4041PZ
Маркировка: PB4041PZ
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5.7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 85 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT-223
Аналоги (замена) для PBSS4041PZ
PBSS4041PZ Datasheet (PDF)
pbss4041pz.pdf
PBSS4041PZ60 V, 5.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 31 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4041NZ.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation voltage V
pbss4041pz.pdf
PBSS4041PZ60 V, 5.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 31 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4041NZ.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation voltage V
pbss4041px.pdf
PBSS4041PX60 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 1 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4041NX.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation
pbss4041pt.pdf
PBSS4041PT60 V, 2.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 9 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4041NT.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
pbss4041px.pdf
PBSS4041PX60 V, 5 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 1 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4041NX.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturation
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
