PBSS4130PAN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PBSS4130PAN

Маркировка: 2D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT-1118

 Аналоги (замена) для PBSS4130PAN

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4130PAN даташит

 ..1. Size:268K  nxp
 pbss4130pan.pdf pdf_icon

PBSS4130PAN

PBSS4130PAN 30 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor 11 January 2013 Product data sheet 1. General description NPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/PNP complement PBSS4130PANP. PNP/PNP complement PBSS5130PAP. 2. Features and benefits Very low collecto

 0.1. Size:337K  nxp
 pbss4130panp.pdf pdf_icon

PBSS4130PAN

PBSS4130PANP 30 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor 12 December 2012 Product data sheet 1. General description NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/NPN complement PBSS4130PAN. PNP/PNP complement PBSS5130PAP. 2. Features and benefits Very low collect

 6.1. Size:49K  philips
 pbss4130t.pdf pdf_icon

PBSS4130PAN

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D088 PBSS4130T 30 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Product specification 2003 Nov 27 Philips Semiconductors Product specification 30 V, 1 A PBSS4130T NPN low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsat SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High collector current capability IC and I

 6.2. Size:257K  nxp
 pbss4130qa.pdf pdf_icon

PBSS4130PAN

PBSS4130QA 30 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 28 August 2013 Product data sheet 1. General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads. PNP complement PBSS5130QA. 2. Features and benefits Very low collector-emitter

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS4041NZ, PBSS4041PX, PBSS4041PZ, PBSS4041SN, PBSS4041SP, PBSS4041SPN, PBSS4112PAN, PBSS4112PANP, BC558, PBSS4130PANP, PBSS4130QA, PBSS4160PAN, PBSS4160PANP, PBSS4160PANPS, PBSS4160PANS, PBSS4160QA, PBSS4230PAN