Справочник транзисторов. PBSS4130PAN

 

Биполярный транзистор PBSS4130PAN Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS4130PAN
   Маркировка: 2D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.45 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: SOT-1118
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4130PAN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  nxp
pbss4130pan.pdfpdf_icon

PBSS4130PAN

PBSS4130PAN30 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor11 January 2013 Product data sheet1. General descriptionNPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadlessmedium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN/PNP complement: PBSS4130PANP. PNP/PNP complement: PBSS5130PAP.2. Features and benefits Very low collecto

 0.1. Size:337K  nxp
pbss4130panp.pdfpdf_icon

PBSS4130PAN

PBSS4130PANP30 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor12 December 2012 Product data sheet1. General descriptionNPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadlessmedium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN/NPN complement: PBSS4130PAN. PNP/PNP complement: PBSS5130PAP.2. Features and benefits Very low collect

 6.1. Size:49K  philips
pbss4130t.pdfpdf_icon

PBSS4130PAN

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D088PBSS4130T30 V, 1 ANPN low VCEsat (BISS) transistorProduct specification 2003 Nov 27Philips Semiconductors Product specification30 V, 1 APBSS4130TNPN low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsatSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High collector current capability IC and I

 6.2. Size:257K  nxp
pbss4130qa.pdfpdf_icon

PBSS4130PAN

PBSS4130QA30 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor28 August 2013 Product data sheet1. General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra smallDFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visibleand solderable side pads.PNP complement: PBSS5130QA.2. Features and benefits Very low collector-emitter

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: SBC328 | 2SC1757E | MP4051 | D43C8 | 2SC1727 | CPH5520 | ZTX503M

 

 
Back to Top

 


 
.