PBSS4230PAN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PBSS4230PAN

Маркировка: 2G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: SOT-1118

 Аналоги (замена) для PBSS4230PAN

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4230PAN даташит

 ..1. Size:247K  nxp
 pbss4230pan.pdf pdf_icon

PBSS4230PAN

PBSS4230PAN 30 V, 2 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor 14 December 2012 Product data sheet 1. General description NPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/PNP complement PBSS4230PANP. PNP/PNP complement PBSS5230PAP. 2. Features and benefits Very low collect

 0.1. Size:338K  nxp
 pbss4230panp.pdf pdf_icon

PBSS4230PAN

PBSS4230PANP 30 V, 2 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor 14 December 2012 Product data sheet 1. General description NPN/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/NPN complement PBSS4230PAN. PNP/PNP complement PBSS5230PAP. 2. Features and benefits Very low collect

 6.1. Size:251K  philips
 pbss4230t.pdf pdf_icon

PBSS4230PAN

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D088 PBSS4230T 30 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2003 Sep 29 NXP Semiconductors Product data sheet 30 V, 2 A PBSS4230T NPN low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsat SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High collector current capability IC and ICM VC

 6.2. Size:244K  nxp
 pbss4230qa.pdf pdf_icon

PBSS4230PAN

PBSS4230QA 30 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 23 August 2013 Product data sheet 1. General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads. PNP complement PBSS5230QA. 2. Features and benefits Very low collector-emitter

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS4130PAN, PBSS4130PANP, PBSS4130QA, PBSS4160PAN, PBSS4160PANP, PBSS4160PANPS, PBSS4160PANS, PBSS4160QA, 9014, PBSS4230PANP, PBSS4230QA, PBSS4240X, PBSS4240Z, PBSS4260PAN, PBSS4260PANP, PBSS4260QA, PBSS4330PAS