Справочник транзисторов. PBSS4240Z

 

Биполярный транзистор PBSS4240Z Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS4240Z
   Маркировка: S4240Z
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
   Корпус транзистора: SOT-223
 

 Аналог (замена) для PBSS4240Z

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4240Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  nxp
pbss4240z.pdfpdf_icon

PBSS4240Z

PBSS4240Z40 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor16 October 2014 Product data sheet1. General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium powerSOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS5240Z2. Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capabi

 6.1. Size:435K  philips
pbss4240dpn.pdfpdf_icon

PBSS4240Z

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D302PBSS4240DPN40 V low VCEsat NPN/PNP transistorProduct data sheet 2003 Feb 20NXP Semiconductors Product data sheet40 V low VCEsat NPN/PNP transistorPBSS4240DPNFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsatMAX. High collector current capability IC and ICMSYMBOL PARAMETER UNIT

 6.2. Size:246K  philips
pbss4240t.pdfpdf_icon

PBSS4240Z

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPBSS4240T40 V; 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 Jan 09Supersedes data of 2001 Jul 13 NXP Semiconductors Product data sheet40 V; 2 A NPN low VCEsat PBSS4240T(BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capabilityVCEO

 6.3. Size:55K  nxp
pbss4240y.pdfpdf_icon

PBSS4240Z

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETageMBD128PBSS4240Y40 V low VCEsat NPN transistorProduct specification 2001 Jul 13Philips Semiconductors Product specification40 V low VCEsat NPN transistorPBSS4240YFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capabilityVCEO collector-emitter voltage 40 V Impr

Другие транзисторы... PBSS4160PANP , PBSS4160PANPS , PBSS4160PANS , PBSS4160QA , PBSS4230PAN , PBSS4230PANP , PBSS4230QA , PBSS4240X , 2SD313 , PBSS4260PAN , PBSS4260PANP , PBSS4260QA , PBSS4330PAS , PBSS4360Z , PBSS5112PAP , PBSS5130PAP , PBSS5130QA .

History: 2N3964

 

 
Back to Top

 


 
.