PBSS4240Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PBSS4240Z

Маркировка: S4240Z

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: SOT-223

 Аналоги (замена) для PBSS4240Z

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4240Z даташит

 ..1. Size:208K  nxp
pbss4240z.pdfpdf_icon

PBSS4240Z

PBSS4240Z 40 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 16 October 2014 Product data sheet 1. General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS5240Z 2. Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capabi

 6.1. Size:435K  philips
pbss4240dpn.pdfpdf_icon

PBSS4240Z

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D302 PBSS4240DPN 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor Product data sheet 2003 Feb 20 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor PBSS4240DPN FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsat MAX. High collector current capability IC and ICM SYMBOL PARAMETER UNIT

 6.2. Size:246K  philips
pbss4240t.pdfpdf_icon

PBSS4240Z

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PBSS4240T 40 V; 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 Jan 09 Supersedes data of 2001 Jul 13 NXP Semiconductors Product data sheet 40 V; 2 A NPN low VCEsat PBSS4240T (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capability VCEO

 6.3. Size:55K  nxp
pbss4240y.pdfpdf_icon

PBSS4240Z

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET age MBD128 PBSS4240Y 40 V low VCEsat NPN transistor Product specification 2001 Jul 13 Philips Semiconductors Product specification 40 V low VCEsat NPN transistor PBSS4240Y FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High current capability VCEO collector-emitter voltage 40 V Impr

Другие транзисторы: PBSS4160PANP, PBSS4160PANPS, PBSS4160PANS, PBSS4160QA, PBSS4230PAN, PBSS4230PANP, PBSS4230QA, PBSS4240X, A1013, PBSS4260PAN, PBSS4260PANP, PBSS4260QA, PBSS4330PAS, PBSS4360Z, PBSS5112PAP, PBSS5130PAP, PBSS5130QA