PBSS4330PAS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PBSS4330PAS

Маркировка: E1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 21 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT-1061D

 Аналоги (замена) для PBSS4330PAS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4330PAS даташит

 ..1. Size:246K  nxp
 pbss4330pas.pdf pdf_icon

PBSS4330PAS

PBSS4330PAS 30 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 11 September 2014 Product data sheet 1. General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin DFN2020D-3 (SOT1061D) leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability and visible and soldarable side pads. PNP complement PBSS5330PAS 2. F

 4.1. Size:156K  philips
 pbss4330pa.pdf pdf_icon

PBSS4330PAS

PBSS4330PA 30 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 19 April 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability. PNP complement PBSS5330PA. 1.2 Features and benefits

 4.2. Size:702K  nxp
 pbss4330pa.pdf pdf_icon

PBSS4330PAS

PBSS4330PA 30 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor 7 April 2015 Product data sheet 1. General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability. PNP complement PBSS5330PA. 2. Features and benefits Low collector-emitter saturatio

 6.1. Size:101K  nxp
 pbss4330x.pdf pdf_icon

PBSS4330PAS

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D109 PBSS4330X 30 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Product specification 2004 Dec 06 Supersedes data of 2003 Nov 28 Philips Semiconductors Product specification 30 V, 3 A PBSS4330X NPN low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT89 (SC-62) package SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitte

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS4230PAN, PBSS4230PANP, PBSS4230QA, PBSS4240X, PBSS4240Z, PBSS4260PAN, PBSS4260PANP, PBSS4260QA, D880, PBSS4360Z, PBSS5112PAP, PBSS5130PAP, PBSS5130QA, PBSS5160PAP, PBSS5160PAPS, PBSS5160QA, PBSS5160T-HF