PBSS5130PAP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PBSS5130PAP

Маркировка: 2E

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT-1118

 Аналоги (замена) для PBSS5130PAP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS5130PAP даташит

 ..1. Size:245K  nxp
 pbss5130pap.pdf pdf_icon

PBSS5130PAP

PBSS5130PAP 30 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor 12 December 2012 Product data sheet 1. General description PNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/PNP complement PBSS4130PANP. NPN/NPN complement PBSS4130PAN. 2. Features and benefits Very low collect

 6.1. Size:119K  philips
 pbss5130t.pdf pdf_icon

PBSS5130PAP

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D088 PBSS5130T 30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2003 Dec 12 NXP Semiconductors Product data sheet 30 V, 1 A PBSS5130T PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsat SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT High collector current capabili

 6.2. Size:314K  nxp
 pbss5130t.pdf pdf_icon

PBSS5130PAP

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 6.3. Size:236K  nxp
 pbss5130qa.pdf pdf_icon

PBSS5130PAP

PBSS5130QA 30 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 28 August 2013 Product data sheet 1. General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads. NPN complement PBSS4130QA. 2. Features and benefits Very low collector-emitter

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS4240X, PBSS4240Z, PBSS4260PAN, PBSS4260PANP, PBSS4260QA, PBSS4330PAS, PBSS4360Z, PBSS5112PAP, 2N4401, PBSS5130QA, PBSS5160PAP, PBSS5160PAPS, PBSS5160QA, PBSS5160T-HF, PBSS5230PAP, PBSS5230QA, PBSS5240X