MG6330-R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MG6330-R  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 260 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 260 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO-3P

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MG6330-R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MG6330-R даташит

 ..1. Size:579K  semelab
 mg6330-r.pdf pdf_icon

MG6330-R

SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR MG6330, MG6330-R TO-3P Plastic Package Complimentary PNP MG9410 Designed specifically for audio power amplifier applications High Current audio bipolar with wide Safe Operating Area ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) MG6330 MG6330-R VCBO Collector Base Voltage 230V 260V VCEO Colle

 9.1. Size:582K  semelab
 mg6331-r.pdf pdf_icon

MG6330-R

SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR MG6331, MG6331-R TO-3P Plastic Package Complimentary PNP MG9411 Designed specifically for audio power amplifier applications Highest Current audio bipolar available on the market with widest Safe Operating Area in TO-3P package ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) MG6331 MG6331-R VCBO Col

Другие транзисторы: MD708B, MD918A, MD918AF, MD918AFHXV, MD918B, MD918BF, MD918HX, MG6330, 2N4401, MG6331, MG6331-R, MG9410, MG9410-R, MG9411, MG9411-R, MHQ2369AHXV, MHQ2369HX