Справочник транзисторов. MG6330-R

 

Биполярный транзистор MG6330-R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MG6330-R
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 260 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 260 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO-3P
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MG6330-R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:579K  semelab
 mg6330-r.pdf pdf_icon

MG6330-R

SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR MG6330, MG6330-R TO-3P Plastic Package Complimentary PNP MG9410 Designed specifically for audio power amplifier applications High Current audio bipolar with wide Safe Operating Area ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) MG6330 MG6330-R VCBO Collector Base Voltage 230V 260V VCEO Colle

 9.1. Size:582K  semelab
 mg6331-r.pdf pdf_icon

MG6330-R

SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR MG6331, MG6331-R TO-3P Plastic Package Complimentary PNP MG9411 Designed specifically for audio power amplifier applications Highest Current audio bipolar available on the market with widest Safe Operating Area in TO-3P package ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) MG6331 MG6331-R VCBO Col

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: D965A-Q | 2SC4275 | 3DG12 | CSC2274F | AFY77 | 2SC2260 | SD1726

 

 
Back to Top

 


 
.