US5L9 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: US5L9  📄📄 

Маркировка: L09

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270

Корпус транзистора: TUMT5

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для US5L9

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

US5L9 даташит

 ..1. Size:65K  rohm
 us5l9.pdf pdf_icon

US5L9

US5L9 Transistors General purpose transistor (isolated transistor and diode) US5L9 A 2SB1709 and a RB461F are housed independently in a TUMT5 package. Dimensions (Unit mm) Applications DC / DC converter Motor driver 2.0 1.3 Features 1) Tr Low VCE(sat) Di Low VF 2) Small package ROHM TUMT5 Abbreviated symbol L09 Structure Silicon epitaxial planar tr

Другие транзисторы: UMX2NFHA, UMX3NFHA, UMZ1M, UMZ1NFHA, UMZ1NT1G, UMZ2NFHA, US5L10, US5L12, 2SA1837, FCX493A, FD75C, FF8550HQLG, FFB2907A, FG531, FH205, FH206, FH306