FG531 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FG531  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO-18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FG531

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FG531 даташит

 ..1. Size:109K  china
 fg531.pdf pdf_icon

FG531

3DG531(FG531) NPN A B C D PCM TA=25 700 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 30 40 50 V V(BR)CEO ICE=1mA 25 35 40 V V(BR)EBO IEB=1mA 3.0 4.0 V ICEO VCE=20V 0.5 mA IC=100mA VCEsat 0.5 V IB=10mA VCE=10V hFE 20 IC=5

Другие транзисторы: UMZ2NFHA, US5L10, US5L12, US5L9, FCX493A, FD75C, FF8550HQLG, FFB2907A, BC558, FH205, FH206, FH306, FH309, FH317, FH6298, FH681, FHC050