FHD30 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FHD30  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: TO-3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FHD30

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FHD30 даташит

 ..1. Size:146K  china
 fhd30.pdf pdf_icon

FHD30

FHD30 NPN B C D E F G PCM Tc=25 30 W ICM 5 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=1mA 50 100 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=1mA 50 100 150 200 250 300 V ICBO VCB=20V 1.0 mA ICEO VCE=20V 1.0 mA VBEsat 2.0 V IC=

Другие транзисторы: FHD050, FHD075, FHD100, FHD11032, FHD122, FHD128B, FHD150, FHD228G, BC556, FHD4035, FHD491, FHD50, FHD6058, FHD651, FHD70, FHD8766, FJB5555