Биполярный транзистор FHD4035 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FHD4035
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO-3
FHD4035 Datasheet (PDF)
..1. Size:109K china
fhd4035.pdf
fhd4035.pdf
FHD4035(MJ4035) NPN Ptot Tc=25 150 W ICM 16 A Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR) CBO ICB=100mA 100 V V(BR) CEO ICB=100mA 100 V V(BR)EBO ICE=5mA 5.0 V ICEO VCB=50V 3.0 mA IEBO VCE=50V 5.0 mA IC=10A VCEsat 2.5 V IB=0.1A VCE=3V hFE 1000 IC=10A 1.
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050