Биполярный транзистор FHD8766 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FHD8766
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO-3
FHD8766 Datasheet (PDF)
..1. Size:135K china
fhd8766.pdf
fhd8766.pdf
FHD8766(RCA8766) NPN 87668766A 8766B 8766D8766C 8766E PCM Tc=25 150 W ICM 15 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR) CBO ICB=2mA 350 400 450 V V(BR) CEO ICE=2mA 350 400 450 V V(BR)EBO IEB=2mA 5.0 V ICEO VCE=V(BR)CEO 1.0 V IEBO VEB=5V 60 mA 876
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050