DMG90401 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DMG90401 📄📄
Маркировка: A9
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 210
Корпус транзистора: SOT-563
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для DMG90401
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DMG90401 даташит
dmg90401.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DMG90401 Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1) Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2) For general amplification DMG50401 in SSMini6 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) SSMini6-F3-B
Другие транзисторы: DMC904F1, DME20101, DME20102, DME20501, DME20B01, DME20C01, DMG21401, DMG50401, 2SC5200, DMMT2907A, DMMT3904, DMR935E1, DMS935E1, DMS935E2, DTA114WCA, EMF23, EMF24
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: UN612X | RN1210 | RN1702 | KRC122M | RN2108MFV | 2T3158A-2 | BDX46
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626

