Биполярный транзистор FJP2160D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FJP2160D
Маркировка: J2160D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO-220
FJP2160D Datasheet (PDF)
fjp2160d.pdf
May 2012FJP2160DESBCTM Rated NPN Silicon TransistorApplicationsDescription High Voltage and High Speed Power Switch The FJP2160D is a low-cost, high performance powerswitch designed to provide the best performance when Applicationused in an ESBCTM configuration in applications such as: Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode power supplies, motor drivers, Smart Grid, o
fjp2145.pdf
April 2013FJP2145ESBC Rated NPN Power TransistorESBC Features (FDC655 MOSFET) DescriptionVCS(ON) IC Equiv. RCS(ON)(1) The FJP2145 is a low-cost, high-performance powerswitch designed to provide the best performance when0.21 V 2 A 0.105 used in an ESBC configuration in applications such as:power supplies, motor drivers, smart grid, or ignition Low Equivalent On Resis
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050