FJP2160D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FJP2160D  📄📄 

Маркировка: J2160D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO-220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FJP2160D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJP2160D даташит

 ..1. Size:703K  fairchild semi
 fjp2160d.pdf pdf_icon

FJP2160D

May 2012 FJP2160D ESBCTM Rated NPN Silicon Transistor Applications Description High Voltage and High Speed Power Switch The FJP2160D is a low-cost, high performance power switch designed to provide the best performance when Application used in an ESBCTM configuration in applications such as Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode power supplies, motor drivers, Smart Grid, o

 9.1. Size:773K  fairchild semi
 fjp2145.pdf pdf_icon

FJP2160D

April 2013 FJP2145 ESBC Rated NPN Power Transistor ESBC Features (FDC655 MOSFET) Description VCS(ON) IC Equiv. RCS(ON)(1) The FJP2145 is a low-cost, high-performance power switch designed to provide the best performance when 0.21 V 2 A 0.105 used in an ESBC configuration in applications such as power supplies, motor drivers, smart grid, or ignition Low Equivalent On Resis

Другие транзисторы: DMS935E2, DTA114WCA, EMF23, EMF24, EMF5, FJP13009H2TU, FJP1943, FJP2145, BC337, FJP5200, FJPF2145, FJX992, FML10, FML9, FMMT413, FMMT42CSM, FMMT42DCSM