GSTSS8050 - описание и поиск аналогов

 

GSTSS8050. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GSTSS8050

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для GSTSS8050

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GSTSS8050 даташит

 ..1. Size:183K  globaltech semi
 gstss8050.pdf pdf_icon

GSTSS8050

GSTSS8050 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage 25V amplifier and switch. Collector Current 1.5A Lead(Pb)-Free Packages & Pin Assignments TO-92 Pin Description 1 Emitter 2 Base 3 Collector Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTSS8050F TO-92 (B) / (C) / (

 0.1. Size:187K  globaltech semi
 gstss8050lt1.pdf pdf_icon

GSTSS8050

GSTSS8050LT1 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage 25V amplifier and switch. Collector-Base Voltage 40V Collector Current 1500mA Lead(Pb)-Free Packages & Pin Assignments SOT-23 Pin Description 1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Information P/N Package Part Markin

Другие транзисторы... GSTMMBT2222A , GSTMMBT2907A , GSTMMBT3904 , GSTMMBT3906 , GSTMMBT5401 , GSTS772 , GSTS882 , GSTS9014LT1 , 8550 , GSTSS8050LT1 , LH8050PLT1G , LH8550PLT1G , LJ2015-52 , LMBT6429LT1G , LMBTA06UT1G , LMBTA06WT1G , LMBTA43LT1G .

History: SEBT9016

 

 

 

 

↑ Back to Top
.