GSTSS8050 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

GSTSS8050 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GSTSS8050
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналоги (замена) для GSTSS8050

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

GSTSS8050 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  globaltech semi
 gstss8050.pdf pdf_icon

GSTSS8050

GSTSS8050 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 25V amplifier and switch. Collector Current : 1.5A Lead(Pb)-FreePackages & Pin Assignments TO-92 Pin Description1 Emitter 2 Base 3 Collector Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTSS8050F TO-92 (B) / (C) / (

 0.1. Size:187K  globaltech semi
 gstss8050lt1.pdf pdf_icon

GSTSS8050

GSTSS8050LT1 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 25V amplifier and switch. Collector-Base Voltage : 40V Collector Current : 1500mA Lead(Pb)-FreePackages & Pin Assignments SOT-23 Pin Description1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Information P/N Package Part Markin

Другие транзисторы... GSTMMBT2222A , GSTMMBT2907A , GSTMMBT3904 , GSTMMBT3906 , GSTMMBT5401 , GSTS772 , GSTS882 , GSTS9014LT1 , D209L , GSTSS8050LT1 , LH8050PLT1G , LH8550PLT1G , LJ2015-52 , LMBT6429LT1G , LMBTA06UT1G , LMBTA06WT1G , LMBTA43LT1G .

History: BF255 | BUL705 | 2SB1103 | 2SA528 | 2SA537H | 2SA1988 | 2N2320

 

 
Back to Top

 


 
.