LS313 - описание и поиск аналогов

 

LS313. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LS313

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 400

Корпус транзистора: TO-78 TO-71

 Аналоги (замена) для LS313

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LS313 даташит

 ..1. Size:1427K  linear-systems
ls310 ls311 ls312 ls313.pdfpdf_icon

LS313

LS310 LS311 LS312 LS313 MONOLITHIC DUAL NPN TRANSISTORS FEATURES VERY HIGH GAIN hFE 200@10 A-1mA TO71 & TO78 TIGHT VBE MATCHING VBE1 -VBE1 = 0.2mV TYP. HIGH fT 250MHz TYP. @ 1mA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS NOTE 1 @ 25 C (unless otherwise noted) 5 3 E2 E1 Collector 6 2 IC 10mA B2 B1 Current 7 1 Maximum Temperatures C2 C1 Storage Temperature -65 to +150 C

 0.1. Size:72K  philips
bls3135-20 1.pdfpdf_icon

LS313

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET halfpage M3D259 BLS3135-20 Microwave power transistor Product specification 2000 Feb 01 Philips Semiconductors Product specification Microwave power transistor BLS3135-20 FEATURES PINNING - SOT422A Suitable for short and medium pulse applications PIN DESCRIPTION Internal input and output matching networks for an easy 1 collector circuit

 0.2. Size:67K  philips
bls3135-50 2.pdfpdf_icon

LS313

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D259 BLS3135-50 Microwave power transistor Product specification 1999 Aug 16 Supersedes data of 1998 Apr 06 Philips Semiconductors Product specification Microwave power transistor BLS3135-50 FEATURES PINNING - SOT422A Suitable for short and medium pulse applications PIN DESCRIPTION Internal input and output matching netwo

 0.3. Size:72K  philips
bls3135-10 1.pdfpdf_icon

LS313

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D324 BLS3135-10 Microwave power transistor Product specification 2000 Feb 01 Philips Semiconductors Product specification Microwave power transistor BLS3135-10 FEATURES PINNING - SOT445C Suitable for short and medium pulse applications PIN DESCRIPTION Internal input and output matching networks for an easy 1 collector circuit design 2

Другие транзисторы... LMBTA56WT1G , LMSD1819A-RT1G , LS301 , LS302 , LS303 , LS310 , LS311 , LS312 , 2SD669A , LS3250A , LS3250B , LS3250C , LS350 , LS351 , LS352 , LS3550A , LS3550B .

History: 2SC961

 

 

 

 

↑ Back to Top
.