Биполярный транзистор LS313 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: LS313
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400
Корпус транзистора: TO-78 TO-71
LS313 Datasheet (PDF)
ls310 ls311 ls312 ls313.pdf
LS310 LS311 LS312 LS313 MONOLITHIC DUAL NPN TRANSISTORS FEATURES VERY HIGH GAIN hFE200@10A-1mA TO71 & TO78TIGHT VBE MATCHING |VBE1 -VBE1| = 0.2mV TYP. HIGH fT 250MHz TYP. @ 1mA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS NOTE 1 @ 25C (unless otherwise noted) 5 3E2 E1Collector 6 2IC 10mA B2 B1 Current 7 1Maximum Temperatures C2 C1Storage Temperature -65 to +150C
bls3135-20 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEET halfpageM3D259BLS3135-20Microwave power transistorProduct specification 2000 Feb 01Philips Semiconductors Product specificationMicrowave power transistor BLS3135-20FEATURES PINNING - SOT422A Suitable for short and medium pulse applicationsPIN DESCRIPTION Internal input and output matching networks for an easy1 collectorcircuit
bls3135-50 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D259BLS3135-50Microwave power transistorProduct specification 1999 Aug 16Supersedes data of 1998 Apr 06Philips Semiconductors Product specificationMicrowave power transistor BLS3135-50FEATURES PINNING - SOT422A Suitable for short and medium pulse applicationsPIN DESCRIPTION Internal input and output matching netwo
bls3135-10 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D324BLS3135-10Microwave power transistorProduct specification 2000 Feb 01Philips Semiconductors Product specificationMicrowave power transistor BLS3135-10FEATURES PINNING - SOT445C Suitable for short and medium pulse applicationsPIN DESCRIPTION Internal input and output matching networks for an easy1 collectorcircuit design2
bls3135-65 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D259BLS3135-65Microwave power transistorProduct specification 1999 Aug 16Supersedes data of 1999 May 01Philips Semiconductors Product specificationMicrowave power transistor BLS3135-65FEATURES PINNING - SOT422A Suitable for short and medium pulse applicationsPIN DESCRIPTION Internal input and output matching netwo
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS