LS352 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LS352  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT-26 TO-71 TO-78

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для LS352

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LS352 даташит

 ..1. Size:237K  linear-systems
 ls352.pdf pdf_icon

LS352

LS350 LS351 LS352 MONOLITHIC DUAL PNP TRANSISTORS FEATURES HIGH GAIN h 200 @ 10 A - 1mA FE TIGHT V MATCHING IV I=0.2mV TYP. BE BE1-V BE2 HIGH f 275 MHz TYP. @ 1mA T ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS NOTE 1 @ 25 C (unless otherwise stated) IC Collector Current 10mA Maximum Temperatures Storage Temperature -55 to +150 C Operating Junction Temperature +150 C Top View

Другие транзисторы: LS311, LS312, LS313, LS3250A, LS3250B, LS3250C, LS350, LS351, BC549, LS3550A, LS3550B, LS3550C, LS358, LSBTH10T1G, LSSBTH10T1G, M28S-B, M28S-C