LSBTH10T1G - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

LSBTH10T1G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: LSBTH10T1G
   Маркировка: H8A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SC-74

 Аналоги (замена) для LSBTH10T1G

 

LSBTH10T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:555K  lrc
 lsbth10t1g.pdf pdf_icon

LSBTH10T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. VHF/UHF Transistors Pb-Free Package is Available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 LSBTH10T1G Qualified and PPAP Capable. S-LSBTH10T1G Ordering Information Device Marking Shipping LSBTH10T1G 3000/Tape&Reel H8A S-LSBTH10T1G LSBTH10T3G 10000/Tape&Reel H8A S-LSBTH10T3G MAX

Другие транзисторы... LS3250C , LS350 , LS351 , LS352 , LS3550A , LS3550B , LS3550C , LS358 , 2N2907 , LSSBTH10T1G , M28S-B , M28S-C , M28S-D , MIMD10A , MJ11012G , MJ11015G , MJ11016G .

 

 
Back to Top

 


 
.