Справочник транзисторов. LSBTH10T1G

 

Биполярный транзистор LSBTH10T1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: LSBTH10T1G
   Маркировка: H8A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SC-74

 Аналоги (замена) для LSBTH10T1G

 

 

LSBTH10T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:555K  lrc
lsbth10t1g.pdf

LSBTH10T1G
LSBTH10T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.VHF/UHF Transistors Pb-Free Package is Available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 LSBTH10T1GQualified and PPAP Capable.S-LSBTH10T1GOrdering InformationDevice Marking ShippingLSBTH10T1G3000/Tape&ReelH8AS-LSBTH10T1GLSBTH10T3G10000/Tape&ReelH8AS-LSBTH10T3GMAX

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top