Биполярный транзистор LSBTH10T1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: LSBTH10T1G
Маркировка: H8A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SC-74
Аналоги (замена) для LSBTH10T1G
LSBTH10T1G Datasheet (PDF)
..1. Size:555K lrc
lsbth10t1g.pdf
lsbth10t1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.VHF/UHF Transistors Pb-Free Package is Available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 LSBTH10T1GQualified and PPAP Capable.S-LSBTH10T1GOrdering InformationDevice Marking ShippingLSBTH10T1G3000/Tape&ReelH8AS-LSBTH10T1GLSBTH10T3G10000/Tape&ReelH8AS-LSBTH10T3GMAX
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050