LSBTH10T1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LSBTH10T1G  📄📄 

Маркировка: H8A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SC-74

 Аналоги (замена) для LSBTH10T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LSBTH10T1G даташит

 ..1. Size:555K  lrc
 lsbth10t1g.pdf pdf_icon

LSBTH10T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. VHF/UHF Transistors Pb-Free Package is Available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 LSBTH10T1G Qualified and PPAP Capable. S-LSBTH10T1G Ordering Information Device Marking Shipping LSBTH10T1G 3000/Tape&Reel H8A S-LSBTH10T1G LSBTH10T3G 10000/Tape&Reel H8A S-LSBTH10T3G MAX

Другие транзисторы: LS3250C, LS350, LS351, LS352, LS3550A, LS3550B, LS3550C, LS358, 2N2907, LSSBTH10T1G, M28S-B, M28S-C, M28S-D, MIMD10A, MJ11012G, MJ11015G, MJ11016G