MJ21193G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJ21193G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для MJ21193G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ21193G даташит

 ..1. Size:153K  onsemi
 mj21193g.pdf pdf_icon

MJ21193G

MJ21193, MJ21194 Preferred Device Silicon Power Transistors The MJ21193 (PNP) and MJ21194 (NPN) utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications. Features http //onsemi.com Total Harmonic Distortion Characterized High DC Current Gain - hFE = 25 Min @ IC = 8 Adc 16 AMP COMPLEMENTARY

 7.1. Size:173K  motorola
 mj21193r.pdf pdf_icon

MJ21193G

Order this document MOTOROLA by MJ21193/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA PNP * MJ21193 NPN Silicon Power Transistors * MJ21194 The MJ21193 and MJ21194 utilize Perforated Emitter technology and are *Motorola Preferred Device specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications. 16 AMPERE COMPLEMENTARY Total Harmonic Distortion Charac

 7.2. Size:122K  onsemi
 mj21193 mj21194.pdf pdf_icon

MJ21193G

MJ21193 - PNP MJ21194 - NPN Silicon Power Transistors The MJ21193 (PNP) and MJ21194 (NPN) utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications. http //onsemi.com Features Total Harmonic Distortion Characterized 16 AMP COMPLEMENTARY High DC Current Gain SILICON POWER Excellent Gain Lin

 7.3. Size:167K  cn sptech
 mj21193.pdf pdf_icon

MJ21193G

SPTECH Product Specification Silicon PNP Power Transistor MJ21193 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area DC Current Gain- h = 25-75@I = -8A,V =-5V FE C CE Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= -1.4 V(Max)@ I = -8A CE(sat C Complement to the NPN MJ21194 APPLICATIONS Designed for high power audio output, disk head positioners and other linear applications. ABSO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJ15004G, MJ15015G, MJ15016G, MJ15022G, MJ15023G, MJ15024G, MJ15025G, MJ16018-1400V, BC548, MJ21194G, MJ21195G, MJ21196G, MJ2955G, MJ3055, MJ4502G, MJ802G, MJ8100R