MJ802G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJ802G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для MJ802G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ802G даташит

 ..1. Size:70K  onsemi
 mj802g.pdf pdf_icon

MJ802G

MJ802 High-Power NPN Silicon Transistor This transistor is for use as an output device in complementary audio amplifiers to 100-Watts music power per channel. Features http //onsemi.com High DC Current Gain - hFE = 25-100 @ IC = 7.5 A 30 AMPERE Excellent Safe Operating Area POWER TRANSISTOR Complement to the PNP MJ4502 NPN SILICON Pb-Free Package is Available* 100 V

 9.1. Size:136K  motorola
 mj802rev.pdf pdf_icon

MJ802G

Order this document MOTOROLA by MJ802/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA MJ802 High-Power NPN Silicon 30 AMPERE Transistor POWER TRANSISTOR NPN SILICON . . . for use as an output device in complementary audio amplifiers to 100 Watts 100 VOLTS music power per channel. 200 WATTS High DC Current Gain hFE = 25 100 @ IC = 7.5 A Excellent Safe Operating Area Complement

 9.2. Size:41K  st
 mj802.pdf pdf_icon

MJ802G

MJ802 SILICON NPN POWER TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE DESCRIPTION The MJ802 is a silicon Epitaxial-Base power transistor mounted in Jedec TO-3 metal case. It is intended for general purpose power amplifier and switching applications. 1 2 TO-3 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCEO Collector-emitter Voltage (I

 9.3. Size:70K  onsemi
 mj802.pdf pdf_icon

MJ802G

MJ802 High-Power NPN Silicon Transistor This transistor is for use as an output device in complementary audio amplifiers to 100-Watts music power per channel. Features http //onsemi.com High DC Current Gain - hFE = 25-100 @ IC = 7.5 A 30 AMPERE Excellent Safe Operating Area POWER TRANSISTOR Complement to the PNP MJ4502 NPN SILICON Pb-Free Package is Available* 100 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJ16018-1400V, MJ21193G, MJ21194G, MJ21195G, MJ21196G, MJ2955G, MJ3055, MJ4502G, A1015, MJ8100R, MJB41CG, MJB41CT4G, MJB42CT4G, MJB44H11G, MJB44H11T4, MJB44H11T4-A, MJB44H11T4G