Биполярный транзистор MJB5742T4G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MJB5742T4G
Маркировка: B5742
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO-263
Аналоги (замена) для MJB5742T4G
MJB5742T4G Datasheet (PDF)
mjb5742t4g.pdf
MJB5742T4GNPN Silicon PowerDarlington TransistorsThe Darlington transistors are designed for high-voltage powerswitching in inductive circuits.Featureshttp://onsemi.com These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantPOWER DARLINGTONApplicationsTRANSISTORS Small Engine Ignition8 AMPERES, 400 VOLTS Switching Regulators100 WATTS Inverters Solenoid an
mjb5742.pdf
MJB5742T4GNPN Silicon PowerDarlington TransistorsThe Darlington transistors are designed for high-voltage powerswitching in inductive circuits.Featureshttp://onsemi.com These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantPOWER DARLINGTONApplicationsTRANSISTORS Small Engine Ignition8 AMPERES, 400 VOLTS Switching Regulators100 WATTS Inverters Solenoid an
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050