MJB5742T4G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJB5742T4G  📄📄 

Маркировка: B5742

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO-263

 Аналоги (замена) для MJB5742T4G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJB5742T4G даташит

 ..1. Size:132K  onsemi
 mjb5742t4g.pdf pdf_icon

MJB5742T4G

MJB5742T4G NPN Silicon Power Darlington Transistors The Darlington transistors are designed for high-voltage power switching in inductive circuits. Features http //onsemi.com These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant POWER DARLINGTON Applications TRANSISTORS Small Engine Ignition 8 AMPERES, 400 VOLTS Switching Regulators 100 WATTS Inverters Solenoid an

 7.1. Size:133K  onsemi
 mjb5742.pdf pdf_icon

MJB5742T4G

MJB5742T4G NPN Silicon Power Darlington Transistors The Darlington transistors are designed for high-voltage power switching in inductive circuits. Features http //onsemi.com These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant POWER DARLINGTON Applications TRANSISTORS Small Engine Ignition 8 AMPERES, 400 VOLTS Switching Regulators 100 WATTS Inverters Solenoid an

Другие транзисторы: MJB41CT4G, MJB42CT4G, MJB44H11G, MJB44H11T4, MJB44H11T4-A, MJB44H11T4G, MJB45H11G, MJB45H11T4G, 2N2222A, MJD112-1G, MJD112G, MJD112RLG, MJD112T4G, MJD117-1G, MJD117G, MJD117T4G, MJD122G