Справочник транзисторов. MJB5742T4G

 

Биполярный транзистор MJB5742T4G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJB5742T4G
   Маркировка: B5742
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO-263
 

 Аналог (замена) для MJB5742T4G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJB5742T4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  onsemi
 mjb5742t4g.pdf pdf_icon

MJB5742T4G

MJB5742T4GNPN Silicon PowerDarlington TransistorsThe Darlington transistors are designed for high-voltage powerswitching in inductive circuits.Featureshttp://onsemi.com These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantPOWER DARLINGTONApplicationsTRANSISTORS Small Engine Ignition8 AMPERES, 400 VOLTS Switching Regulators100 WATTS Inverters Solenoid an

 7.1. Size:133K  onsemi
 mjb5742.pdf pdf_icon

MJB5742T4G

MJB5742T4GNPN Silicon PowerDarlington TransistorsThe Darlington transistors are designed for high-voltage powerswitching in inductive circuits.Featureshttp://onsemi.com These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantPOWER DARLINGTONApplicationsTRANSISTORS Small Engine Ignition8 AMPERES, 400 VOLTS Switching Regulators100 WATTS Inverters Solenoid an

Другие транзисторы... MJB41CT4G , MJB42CT4G , MJB44H11G , MJB44H11T4 , MJB44H11T4-A , MJB44H11T4G , MJB45H11G , MJB45H11T4G , 2SD1047 , MJD112-1G , MJD112G , MJD112RLG , MJD112T4G , MJD117-1G , MJD117G , MJD117T4G , MJD122G .

 

 
Back to Top

 


 
.