Биполярный транзистор MJD128T4G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MJD128T4G
Маркировка: J128G
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO-252
Аналоги (замена) для MJD128T4G
MJD128T4G Datasheet (PDF)
mjd128t4g.pdf
MJD128T4G,NJVMJD128T4G (PNP)Complementary DarlingtonPower TransistorDPAK For Surface Mount ApplicationsDesigned for general purpose amplifier and low speed switchinghttp://onsemi.comapplications.SILICONFeaturesPOWER TRANSISTOR Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Shunt Resistors High DC Current Gain: hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc8 AMPERES Epo
mjd128.pdf
MJD128T4G (PNP)Complementary DarlingtonPower TransistorDPAK For Surface Mount ApplicationsDesigned for general purpose amplifier and low speed switchingapplications.www.onsemi.comFeatures Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Shunt ResistorsSILICON High DC Current Gain: hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 AdcPOWER TRANSISTOR Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.125 in
njvmjd128.pdf
MJD128T4G,NJVMJD128T4G (PNP)Complementary DarlingtonPower TransistorDPAK For Surface Mount ApplicationsDesigned for general purpose amplifier and low speed switchinghttp://onsemi.comapplications.SILICONFeaturesPOWER TRANSISTOR Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Shunt Resistors High DC Current Gain: hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc8 AMPERES Epo
mjd128.pdf
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor MJD128DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = -4AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -120V(Min)CEO(SUS)DPAK for Surface Mount ApplicationsMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low speedswitching
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050