MJD128T4G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJD128T4G  📄📄 

Маркировка: J128G

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO-252

 Аналоги (замена) для MJD128T4G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJD128T4G даташит

 ..1. Size:175K  onsemi
 mjd128t4g.pdf pdf_icon

MJD128T4G

MJD128T4G, NJVMJD128T4G (PNP) Complementary Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching http //onsemi.com applications. SILICON Features POWER TRANSISTOR Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Shunt Resistors High DC Current Gain hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc 8 AMPERES Epo

 8.1. Size:91K  onsemi
 mjd128.pdf pdf_icon

MJD128T4G

MJD128T4G (PNP) Complementary Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. www.onsemi.com Features Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Shunt Resistors SILICON High DC Current Gain hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc POWER TRANSISTOR Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.125 in

 8.2. Size:175K  onsemi
 njvmjd128.pdf pdf_icon

MJD128T4G

MJD128T4G, NJVMJD128T4G (PNP) Complementary Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching http //onsemi.com applications. SILICON Features POWER TRANSISTOR Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Shunt Resistors High DC Current Gain hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc 8 AMPERES Epo

 8.3. Size:206K  inchange semiconductor
 mjd128.pdf pdf_icon

MJD128T4G

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor MJD128 DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 1000(Min)@ I = -4A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -120V(Min) CEO(SUS) DPAK for Surface Mount Applications Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low speed switching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJD112T4G, MJD117-1G, MJD117G, MJD117T4G, MJD122G, MJD122T4G, MJD127G, MJD127T4G, BD335, MJD148T4G, MJD200G, MJD200RLG, MJD200T4G, MJD210G, MJD210RLG, MJD210T4G, MJD243G