Справочник транзисторов. MJD128T4G

 

Биполярный транзистор MJD128T4G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJD128T4G
   Маркировка: J128G
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO-252
 

 Аналог (замена) для MJD128T4G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJD128T4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  onsemi
 mjd128t4g.pdf pdf_icon

MJD128T4G

MJD128T4G,NJVMJD128T4G (PNP)Complementary DarlingtonPower TransistorDPAK For Surface Mount ApplicationsDesigned for general purpose amplifier and low speed switchinghttp://onsemi.comapplications.SILICONFeaturesPOWER TRANSISTOR Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Shunt Resistors High DC Current Gain: hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc8 AMPERES Epo

 8.1. Size:91K  onsemi
 mjd128.pdf pdf_icon

MJD128T4G

MJD128T4G (PNP)Complementary DarlingtonPower TransistorDPAK For Surface Mount ApplicationsDesigned for general purpose amplifier and low speed switchingapplications.www.onsemi.comFeatures Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Shunt ResistorsSILICON High DC Current Gain: hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 AdcPOWER TRANSISTOR Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.125 in

 8.2. Size:175K  onsemi
 njvmjd128.pdf pdf_icon

MJD128T4G

MJD128T4G,NJVMJD128T4G (PNP)Complementary DarlingtonPower TransistorDPAK For Surface Mount ApplicationsDesigned for general purpose amplifier and low speed switchinghttp://onsemi.comapplications.SILICONFeaturesPOWER TRANSISTOR Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Shunt Resistors High DC Current Gain: hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc8 AMPERES Epo

 8.3. Size:206K  inchange semiconductor
 mjd128.pdf pdf_icon

MJD128T4G

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor MJD128DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = -4AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -120V(Min)CEO(SUS)DPAK for Surface Mount ApplicationsMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose amplifier and low speedswitching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MJD112T4G , MJD117-1G , MJD117G , MJD117T4G , MJD122G , MJD122T4G , MJD127G , MJD127T4G , TIP35C , MJD148T4G , MJD200G , MJD200RLG , MJD200T4G , MJD210G , MJD210RLG , MJD210T4G , MJD243G .

 

 
Back to Top

 


 
.