MJD243T4G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJD243T4G  📄📄 

Маркировка: J243G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO-252

 Аналоги (замена) для MJD243T4G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJD243T4G даташит

 ..1. Size:200K  onsemi
 mjd243t4g.pdf pdf_icon

MJD243T4G

MJD243, NJVMJD243T4G (NPN), MJD253, NJVMJD253T4G (PNP) Complementary Silicon http //onsemi.com Plastic Power Transistor DPAK-3 for Surface Mount Applications 4.0 A, 100 V, 12.5 W POWER TRANSISTOR Designed for low voltage, low-power, high-gain audio amplifier applications. Features Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc High DC Cu

 8.1. Size:209K  motorola
 mjd243re.pdf pdf_icon

MJD243T4G

Order this document MOTOROLA by MJD243/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Plastic Power Transistor MJD243* DPAK For Surface Mount Applications *Motorola Preferred Device . . . designed for low voltage, low power, high gain audio amplifier applications. NPN SILICON Collector Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc POWER TRANSISTOR High DC Curr

 8.2. Size:200K  onsemi
 mjd243g.pdf pdf_icon

MJD243T4G

MJD243, NJVMJD243T4G (NPN), MJD253, NJVMJD253T4G (PNP) Complementary Silicon http //onsemi.com Plastic Power Transistor DPAK-3 for Surface Mount Applications 4.0 A, 100 V, 12.5 W POWER TRANSISTOR Designed for low voltage, low-power, high-gain audio amplifier applications. Features Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc High DC Cu

 8.3. Size:107K  onsemi
 mjd243 mjd253.pdf pdf_icon

MJD243T4G

MJD243 (NPN), MJD253 (PNP) Complementary Silicon Plastic Power Transistors DPAK-3 for Surface Mount Applications www.onsemi.com Designed for low voltage, low-power, high-gain audio amplifier applications. 4.0 A, 100 V, 12.5 W Features POWER TRANSISTOR High DC Current Gain Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves COMPLEMENTARY (No Suffix) COLLECTOR COLL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJD148T4G, MJD200G, MJD200RLG, MJD200T4G, MJD210G, MJD210RLG, MJD210T4G, MJD243G, TIP31, MJD253-1G, MJD253T4G, MJD2955-1G, MJD2955G, MJD2955T4G, MJD3055G, MJD3055T4G, MJD31C1G