Справочник транзисторов. MMBT3904LT1G

 

Биполярный транзистор MMBT3904LT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBT3904LT1G
   Маркировка: 1AM
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT3904LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:131K  onsemi
mmbt3904lt1g.pdfpdf_icon

MMBT3904LT1G

MMBT3904L, SMMBT3904LGeneral Purpose TransistorNPN SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliant S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique COLLECTOR3Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP Capable1BASEMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit2Collector-Emi

 3.1. Size:164K  motorola
mmbt3904lt1rev1d.pdfpdf_icon

MMBT3904LT1G

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBT3904LT1/DGeneral Purpose TransistorMMBT3904LT1NPN SiliconCOLLECTOR Motorola Preferred Device31BASE32EMITTER1MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitCASE 31808, STYLE 6CollectorEmitter Voltage VCEO 40 VdcSOT23 (TO236AB)CollectorBase Voltage VCBO 60 VdcEmitterBase Voltage VE

 3.2. Size:114K  onsemi
mmbt3904lt1-d.pdfpdf_icon

MMBT3904LT1G

MMBT3904LT1GGeneral Purpose TransistorNPN SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantCOLLECTOR3MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit1Collector-Emitter Voltage VCEO 40 VdcBASECollector-Base Voltage VCBO 60 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 6.0 Vdc 2EMITTERCollector Current - Continuous IC 200 mAdcColl

 3.3. Size:1617K  lge
mmbt3904lt1.pdfpdf_icon

MMBT3904LT1G

MMBT3904LT1 NPN SWITCHING TRANSISTOR1. BASE 2. EMITTER3. COLLECTORFEATURES A Epitaxial planar die construction. SOT-23 E Complementary PNP type available Dim Min MaxA 2.70 3.10K B(MMBT3906). B 1.10 1.50C 1.0 Typical Collector Current Capability ICM =200mA. D 0.4 TypicalJDE 0.35 0.48 Collector-emitter Voltage VCEO=40V. GG 1.80 2.00H 0.02 0.1H

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: ZXTN5551G | KRC658U | SRA2204UF | 2SC3747R | KTA1271A | 2SD334A | BC806-16

 

 
Back to Top

 


 
.