MMBT3904LT1G - описание и поиск аналогов

 

MMBT3904LT1G - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MMBT3904LT1G
   Маркировка: 1AM
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для MMBT3904LT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT3904LT1G - технические параметры

 ..1. Size:131K  onsemi
mmbt3904lt1g.pdfpdf_icon

MMBT3904LT1G

MMBT3904L, SMMBT3904L General Purpose Transistor NPN Silicon Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique COLLECTOR 3 Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 1 BASE MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 2 Collector-Emi

 3.1. Size:164K  motorola
mmbt3904lt1rev1d.pdfpdf_icon

MMBT3904LT1G

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBT3904LT1/D General Purpose Transistor MMBT3904LT1 NPN Silicon COLLECTOR Motorola Preferred Device 3 1 BASE 3 2 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit CASE 318 08, STYLE 6 Collector Emitter Voltage VCEO 40 Vdc SOT 23 (TO 236AB) Collector Base Voltage VCBO 60 Vdc Emitter Base Voltage VE

 3.2. Size:114K  onsemi
mmbt3904lt1-d.pdfpdf_icon

MMBT3904LT1G

MMBT3904LT1G General Purpose Transistor NPN Silicon Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 Collector-Emitter Voltage VCEO 40 Vdc BASE Collector-Base Voltage VCBO 60 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 Vdc 2 EMITTER Collector Current - Continuous IC 200 mAdc Coll

 3.3. Size:1617K  lge
mmbt3904lt1.pdfpdf_icon

MMBT3904LT1G

MMBT3904LT1 NPN SWITCHING TRANSISTOR 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR FEATURES A Epitaxial planar die construction. SOT-23 E Complementary PNP type available Dim Min Max A 2.70 3.10 K B (MMBT3906). B 1.10 1.50 C 1.0 Typical Collector Current Capability ICM =200mA. D 0.4 Typical J D E 0.35 0.48 Collector-emitter Voltage VCEO=40V. G G 1.80 2.00 H 0.02 0.1 H

Другие транзисторы... MMBT2907AWT1G , MMBT2907-G , MMBT3416LT3G , MMBT3904FA , MMBT3904FZ , MMBT3904-G , MMBT3904GH , MMBT3904-HF , BC558 , MMBT3904LT3G , MMBT3904LTG , MMBT3904M , MMBT3904SL , MMBT3904TT1G , MMBT3904WG , MMBT3904WGH , MMBT3904WT1G .

History: BSYP07

 

 
Back to Top

 


 
.