MMBT4403WT1G - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

MMBT4403WT1G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MMBT4403WT1G
   Маркировка: 2T
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-323

 Аналоги (замена) для MMBT4403WT1G

 

MMBT4403WT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  onsemi
mmbt4403wt1g.pdfpdf_icon

MMBT4403WT1G

MMBT4403WT1G Switching Transistor PNP Silicon Features Moisture Sensitivity Level 1 http //onsemi.com ESD Rating Human Body Model; 4 kV, Machine Model; 400 V COLLECTOR These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 3 Compliant 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 EMITTER Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage VCEO -40 Vdc 3 Collector-Base Voltage

 3.1. Size:178K  onsemi
mmbt4403wt1.pdfpdf_icon

MMBT4403WT1G

MMBT4403WT1G Switching Transistor PNP Silicon Features Moisture Sensitivity Level 1 http //onsemi.com ESD Rating Human Body Model; 4 kV, Machine Model; 400 V COLLECTOR These Devices are Pb--Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 3 Compliant 1 BASE MAXIMUM RATINGS 2 EMITTER Rating Symbol Value Unit Collector -- Emitter Voltage VCEO --40 Vdc 3 Collector -- Base

 3.2. Size:503K  willas
mmbt4403wt1.pdfpdf_icon

MMBT4403WT1G

FM120-M WILLAS THRU MMBT4403WT1 General Purpose Transistors FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Produ Package outline Features Batc PNP etteh process design, excellent power dissipation offers Silicon b r reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H Low profile surface mounted application in order to

 5.1. Size:295K  secos
mmbt4403w.pdfpdf_icon

MMBT4403WT1G

MMBT4403W PNP Silicon Elektronische Bauelemente Switching Transistor RoHS Compliant Product A SOT-323 L Dim Min Max COLLECTOR A 1.800 2.200 3 S Top View B B 1.150 1.350 3 C 0.800 1.000 1 BASE D 0.300 0.400 V G 1 G 1.200 1.400 2 2 H 0.000 0.100 C EMITTER J 0.100 0.250 H J D K K 0.350 0.500 L 0.590 0.720 S 2.000 2.400 MAXIMUM RATINGS V 0.280 0.420 Rating Symb

Другие транзисторы... MMBT4401GH , MMBT4401LT1G , MMBT4401M3 , MMBT4401WT1G , MMBT4403-G , MMBT4403GH , MMBT4403LT1G , MMBT4403M3 , BC547B , MMBT489LT1G , MMBT5087LT1G , MMBT5088LT1G , MMBT5089LT1G , MMBT5210 , MMBT5343-G , MMBT5343-L , MMBT5343-O .

 

 
Back to Top

 


 
.