MMBT5401-G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT5401-G  📄📄 

Маркировка: 2L

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMBT5401-G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT5401-G даташит

 ..1. Size:92K  comchip
 mmbt5401-g.pdf pdf_icon

MMBT5401-G

General Purpose Transistor MMBT5401-G (PNP) RoHS Device SOT-23 Features -Epitaxial planar die construction. 0.119(3.00) 0.110(2.80) -Complementary NPN type available (MMBT5551-G). 3 -Ideal for medium power amplification and switching. 0.056(1.40) 0.047(1.20) 1 2 Diagram 0.006(0.15) 0.079(2.00) Collector 0.002(0.05) 0.071(1.80) 3 0.041(1.05) 0.100(2.55) 0.035(0.90) 0.0

 5.1. Size:950K  semtech
 mmbt5401-haf.pdf pdf_icon

MMBT5401-G

MMBT5401-HAF PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Features Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant 1. Base 2. Emitter 3. Collector TO-236 Plastic Package Applications For high voltage amplifier applications Absolute Maximum Ratings (T = 25 ) a Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -V 160 V CBO Collector Emitter Voltage -V 150 V CEO Emitt

 5.2. Size:4192K  msksemi
 mmbt5401-ms.pdf pdf_icon

MMBT5401-G

www.msksemi.com MMBT5401-MS Semiconductor Compiance Semiconductor Compiance TRANSISTOR (PNP) FEATURES Complementary to MMBT5551-MS Ideal for Medium Power Amplification and Switching 1. BASE MARKING 2L 2. EMITTER SOT 23 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -160 V VCEO Collector-Emit

 5.3. Size:434K  powersilicon
 mmbt5401-t3 mmbt5401g-t3.pdf pdf_icon

MMBT5401-G

MMBT5401 GENERAL PURPOSE TRANSISTORS PNP Silicon FEATURES High DC Current Gain Low Collector-Emitter Saturation Voltage C MECHANICAL DATA E Available in SOT-23Package Solderability MIL-STD-202, Method 208 PB Free Products Are Available 98.5% SN B Above Can Meet RoHS Environment Substance Directive Request ORDERING INFORMATION PART NUMBER PA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBT5087LT1G, MMBT5088LT1G, MMBT5089LT1G, MMBT5210, MMBT5343-G, MMBT5343-L, MMBT5343-O, MMBT5343-Y, BD136, MMBT5401GH, MMBT5401LT1G, MMBT5401WT1G, MMBT5550GH, MMBT5550LT1G, MMBT5551GH, MMBT5551LT1G, MMBT5551M3