MMBT6521LT1G datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MMBT6521LT1G 📄📄
Маркировка: RO
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300
Корпус транзистора: SOT-23
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для MMBT6521LT1G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MMBT6521LT1G даташит
mmbt6521lt1g.pdf
ON Semiconductor Is Now To learn more about onsemi , please visit our website at www.onsemi.com onsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,
mmbt6521lt1g smmbt6521lt1g.pdf
MMBT6521LT1G, SMMBT6521LT1G Amplifier Transistor NPN Silicon Features www.onsemi.com S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant SOT- 23 (TO -236) CASE 318 -08 STYLE 6 MAXIMUM RATINGS COLLECTOR Rating Symbol
mmbt6521lt1.pdf
MMBT6521LT1G Amplifier Transistor NPN Silicon Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant COLLECTOR 3 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 BASE Collector-Emitter Voltage VCEO 25 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 40 Vdc 2 Emitter-Base Voltage VEBO 4.0 Vdc EMITTER Collector Current Continuous IC 100 mAdc THERMAL
mmbt6520.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBT6520LT1/D High Voltage Transistor MMBT6520LT1 PNP Silicon Motorola Preferred Device COLLECTOR 3 1 BASE 3 2 EMITTER 1 2 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit CASE 318 08, STYLE 6 SOT 23 (TO 236AB) Collector Emitter Voltage VCEO 350 Vdc Collector Base Voltage VCBO 350 Vdc Emitter Base Volt
Другие транзисторы: MMBT5962, MMBT6427LT1G, MMBT6428LT1, MMBT6428LT1G, MMBT6429LT1G, MMBT6515, MMBT6517LT1G, MMBT6520LT1G, 2N3055, MMBT720, MMBT8050, MMBT8050D, MMBT8050LT1, MMBT8099LT1G, MMBT8550, MMBT8550LT1, MMBT9012LT1
History: JE8550D | STB1277 | S8550A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor









