MMBT9014LT1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MMBT9014LT1
Маркировка: L6
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT-23
Аналоги (замена) для MMBT9014LT1
MMBT9014LT1 Datasheet (PDF)
mmbt9014lt1.pdf
RoHS MMBT9014LT1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SOT-23 3 PRF-AMPLIFIER,LOW LEVEL&LOW NOISE 1 Complemen to MMPT9015LT1 Collector-current Ic=100mA 2 Collector-Emiller Voltage VCE=45V 1. 1.BASE High Totalpower Dissipation Pc=225mW 2.EMITTER High life And Good Linearity 2.4 3.COLLECTOR 1.3 Unit mm o ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Symbol Rating Unit Characterist
mmbt9014.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MMBT9014 NPN SILICON TRANSISTOR PRE-AMPLIFIER, LOW LEVEL & LOW NOISE 3 FEATURES * High Total Power Dissipation. (450mW) 1 * Excellent hFE Linearity. 2 * Complementary to UTC MMBT9015 SOT-23 (JEDEC TO-236) ORDERING INFORMATION Pin Assignment Ordering Number Package Packing 1 2 3 MMBT9014G-x-AE3-R SOT-23 E B C Tape Reel Note Pin
mmbt9014b mmbt9014c mmbt9014d.pdf
MMBT9014 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications As complementary types the PNP transistor MMBT9015 is recommended. TO-236 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 50 V Collector Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC 100 mA
mmbt9014c1.pdf
MMBT9014C1 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications As complementary types the PNP transistor MMBT9015 is recommended. 1.Base 2.Emitter 3.Collector TO-236 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 50 V Collector Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter Base Voltage VEBO
Другие транзисторы... MMBT8050 , MMBT8050D , MMBT8050LT1 , MMBT8099LT1G , MMBT8550 , MMBT8550LT1 , MMBT9012LT1 , MMBT9013LT1 , BD140 , MMBT9015LT1 , MMBT9018LT1 , MMBT918LT1G , MMBT945-H , MMBT945-L , MMBTA05LT1G , MMBTA05W , MMBTA06LT1G .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet





