MMBTA14LT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBTA14LT1G  📄📄 

Маркировка: 1N

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5000

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMBTA14LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTA14LT1G даташит

 ..1. Size:791K  onsemi
mmbta13lt1g mmbta14lt1g.pdfpdf_icon

MMBTA14LT1G

MMBTA13L, SMMBTA13L, MMBTA14L, SMMBTA14L Darlington Amplifier Transistors NPN Silicon http //onsemi.com Features S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS SOT-23 (TO-236) Compliant* CASE 318 STYLE 6 COLLECTOR 3 MAXIM

 7.1. Size:235K  motorola
mmbta13 mmbta14.pdfpdf_icon

MMBTA14LT1G

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBTA13LT1/D MMBTA13LT1 Darlington Amplifier Transistors MMBTA14LT1 * NPN Silicon COLLECTOR 3 *Motorola Preferred Device BASE 1 3 EMITTER 2 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCES 30 Vdc CASE 318 08, STYLE 6 SOT 23 (TO 236AB) Collector Base Voltage VCBO 30 Vdc Emitte

 7.2. Size:887K  fairchild semi
mmbta14.pdfpdf_icon

MMBTA14LT1G

MPSA14 MMBTA14 PZTA14 C C E E C B C TO-92 B SOT-23 B SOT-223 E Mark 1N NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1.0 A. Sourced from Process 05. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 30 V VCBO Collector-Ba

 7.3. Size:525K  infineon
smbta14 mmbta14.pdfpdf_icon

MMBTA14LT1G

SMBTA14/MMBTA14 NPN Silicon Darlington Transistor High collector current 2 3 Low collector-emitter saturation voltage 1 Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101 Type Marking Pin Configuration Package SMBTA14/MMBTA14 s1N SOT23 1=B 2=E 3=C Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit 30 V Collector-emitter voltage VCES 30 Collector-base voltage

Другие транзисторы: MMBTA05W, MMBTA06LT1G, MMBTA06W, MMBTA06WT1G, MMBTA10, MMBTA10Q, MMBTA11, MMBTA13LT1G, BC327, MMBTA42-G, MMBTA42LT1G, MMBTA55LT1G, MMBTA56LT1G, MMBTA56WT1G, MMBTA63LT1G, MMBTA64LT1G, MMBTA70LT1G