Справочник транзисторов. MMBTA56WT1G

 

Биполярный транзистор MMBTA56WT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBTA56WT1G
   Маркировка: FM
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-323
 

 Аналог (замена) для MMBTA56WT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTA56WT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  onsemi
mmbta56wt1g.pdfpdf_icon

MMBTA56WT1G

MMBTA56W, SMMBTA56WDriver TransistorPNP SiliconFeatures Moisture Sensitivity Level: 1http://onsemi.com ESD Rating: Human Body Model - 4 kV Machine Model - 400 V S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP Capable SC-70 (SOT-323)CASE 419 These Devices are Pb-Free, Halog

 6.1. Size:162K  onsemi
mmbta56w smmbta56w.pdfpdf_icon

MMBTA56WT1G

MMBTA56W, SMMBTA56WDriver TransistorPNP SiliconFeatures Moisture Sensitivity Level: 1www.onsemi.com ESD Rating: Human Body Model - 4 kV Machine Model - 400 V S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified andPPAP Capable SC-70 (SOT-323)CASE 419 These Devices are Pb-Free, Halogen

 7.1. Size:77K  motorola
mmbta55l mmbta56.pdfpdf_icon

MMBTA56WT1G

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBTA55LT1/DDriver TransistorsMMBTA55LT1COLLECTORPNP Silicon3MMBTA56LT1**Motorola Preferred Device1BASE2EMITTERMAXIMUM RATINGS3Rating Symbol MMBTA55 MMBTA56 Unit1CollectorEmitter Voltage VCEO 60 80 Vdc2CollectorBase Voltage VCBO 60 80 VdcEmitterBase Voltage VEBO 4.0 Vdc

 7.2. Size:1073K  fairchild semi
mpsa56 mmbta56 pzta56.pdfpdf_icon

MMBTA56WT1G

February 2006MPSA56/MMBTA56/PZTA56 PNP General Purpose AmplifierDescriptionThis device is designed for general purpose amplifierapplications at collector currents to 300mA. Sourcedfrom Process 73Absolute Maximum Ratings*TA = 25C unless otherwise specified.Parameter Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCES -80 VCollector-Base Voltage VCBO -80 VEmitter-Base Voltag

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SC4217 | T1888 | MMBTA14LT1G | TIP42C-Y | MMBTA14LT1 | TIP32B

 

 
Back to Top

 


 
.