MMJD3055 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMJD3055  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO-252

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMJD3055

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMJD3055 даташит

 ..1. Size:371K  mcc
 mmjd3055.pdf pdf_icon

MMJD3055

MCC Micro Commercial Components TM MMJD3055 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features Silicon Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates NPN epitaxial planer RoHS Compliant. See ordering information) Capable of 1.25Watts of Power Dissipation. Transistors Collector-cu

Другие транзисторы: MMBTH10M3, MMBTH10W, MMDT3904V, MMDT3906V, MMDT8050S, MMDT8150, MMDTA06, MMJD2955, 8550, MMJT350T1G, MMS8050-H, MMS8050-L, MMS8550-H, MMS8550-L, MMS9012-H, MMS9012-L, MMS9013-H