Справочник транзисторов. MMJD3055

 

Биполярный транзистор MMJD3055 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMJD3055
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO-252
 

 Аналог (замена) для MMJD3055

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMJD3055 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:371K  mcc
 mmjd3055.pdf pdf_icon

MMJD3055

MCCMicro Commercial ComponentsTM MMJD305520736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Silicon Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates NPN epitaxial planer RoHS Compliant. See ordering information) Capable of 1.25Watts of Power Dissipation.Transistors Collector-cu

Другие транзисторы... MMBTH10M3 , MMBTH10W , MMDT3904V , MMDT3906V , MMDT8050S , MMDT8150 , MMDTA06 , MMJD2955 , D209L , MMJT350T1G , MMS8050-H , MMS8050-L , MMS8550-H , MMS8550-L , MMS9012-H , MMS9012-L , MMS9013-H .

History: BDV48

 

 
Back to Top

 


 
.