Биполярный транзистор MMJD3055 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MMJD3055
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO-252
MMJD3055 Datasheet (PDF)
..1. Size:371K mcc
mmjd3055.pdf
mmjd3055.pdf
MCCMicro Commercial ComponentsTM MMJD305520736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Silicon Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates NPN epitaxial planer RoHS Compliant. See ordering information) Capable of 1.25Watts of Power Dissipation.Transistors Collector-cu
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: 2SC1740 | 2SC1741 | GT109E | 2SC3781D | GT109I
History: 2SC1740 | 2SC1741 | GT109E | 2SC3781D | GT109I
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050