MMJD3055 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMJD3055  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 70 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 2 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO-252

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MMJD3055 datasheet

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MMJD3055

MCC Micro Commercial Components TM MMJD3055 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 Phone (818) 701-4933 Fax (818) 701-4939 Features Silicon Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates NPN epitaxial planer RoHS Compliant. See ordering information) Capable of 1.25Watts of Power Dissipation. Transistors Collector-cu

Otros transistores... MMBTH10M3, MMBTH10W, MMDT3904V, MMDT3906V, MMDT8050S, MMDT8150, MMDTA06, MMJD2955, S8550, MMJT350T1G, MMS8050-H, MMS8050-L, MMS8550-H, MMS8550-L, MMS9012-H, MMS9012-L, MMS9013-H