Справочник транзисторов. PBHV8560Z

 

Биполярный транзистор PBHV8560Z Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBHV8560Z
   Маркировка: HV856Z
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.65 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: SOT-223
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PBHV8560Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  nxp
pbhv8560z.pdfpdf_icon

PBHV8560Z

PBHV8560Z600 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor13 March 2015 Product data sheet1. General descriptionNPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223(SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBHV9560Z2. Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Hi

 8.1. Size:108K  philips
pbhv8540t.pdfpdf_icon

PBHV8560Z

PBHV8540T500 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 14 January 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in aSOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBHV9040T.1.2 Features High voltage Low collector-emitter sa

 8.2. Size:236K  nxp
pbhv8540x.pdfpdf_icon

PBHV8560Z

PBHV8540X500 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor5 December 2013 Product data sheet1. General descriptionNPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89(SC-62) medium power and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBHV9040X.2. Features and benefits High voltage Low collector-emitter

 8.3. Size:120K  nxp
pbhv8540z.pdfpdf_icon

PBHV8560Z

PBHV8540Z500 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 7 February 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in aSOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBHV9040Z.1.2 Features High voltage Low collector-emitt

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: FT4019 | CX904 | CPH6001A | 2SD1614XL | 2SC2567 | TN5139 | BSYP62

 

 
Back to Top

 


 
.