PBHV8560Z - описание и поиск аналогов

 

PBHV8560Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PBHV8560Z

Маркировка: HV856Z

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT-223

 Аналоги (замена) для PBHV8560Z

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBHV8560Z даташит

 ..1. Size:209K  nxp
pbhv8560z.pdfpdf_icon

PBHV8560Z

PBHV8560Z 600 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor 13 March 2015 Product data sheet 1. General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBHV9560Z 2. Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Hi

 8.1. Size:108K  philips
pbhv8540t.pdfpdf_icon

PBHV8560Z

PBHV8540T 500 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 14 January 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBHV9040T. 1.2 Features High voltage Low collector-emitter sa

 8.2. Size:236K  nxp
pbhv8540x.pdfpdf_icon

PBHV8560Z

PBHV8540X 500 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor 5 December 2013 Product data sheet 1. General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62) medium power and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBHV9040X. 2. Features and benefits High voltage Low collector-emitter

 8.3. Size:120K  nxp
pbhv8540z.pdfpdf_icon

PBHV8560Z

PBHV8540Z 500 V, 0.5 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 7 February 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBHV9040Z. 1.2 Features High voltage Low collector-emitt

Другие транзисторы: MX0912B100Y, P2N2222AG, DTC114WM, PBHV2160Z, PBHV3160Z, PBHV8115X, PBHV8118T, PBHV8540X, TIP120, PBHV9040X, PBHV9050Z, PBHV9115X, PBHV9414Z, PBHV9560Z, PUML1_DG, PUMX2, PUMZ2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.