PBHV9115X. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PBHV9115X
Маркировка: *4G
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.52 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 115 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: SOT-89
Аналоги (замена) для PBHV9115X
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PBHV9115X даташит
pbhv9115x.pdf
PBHV9115X 150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 10 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features and benefits High voltage Low collector-emitter saturat
pbhv9115x.pdf
PBHV9115X 150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 10 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features and benefits High voltage Low collector-emitter saturat
pbhv9115z.pdf
PBHV9115Z 150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 9 January 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBHV8115Z. 1.2 Features High voltage Low collector-emitter
pbhv9115t.pdf
PBHV9115T 150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 9 January 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBHV8115T. 1.2 Features High voltage Low collector-emitter satur
Другие транзисторы: PBHV2160Z, PBHV3160Z, PBHV8115X, PBHV8118T, PBHV8540X, PBHV8560Z, PBHV9040X, PBHV9050Z, D667, PBHV9414Z, PBHV9560Z, PUML1_DG, PUMX2, PUMZ2, PVR100AD-B12V, PVR100AD-B2V5, PVR100AD-B3V0
History: 2SC3969-220
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet






