PBHV9115X - описание и поиск аналогов

 

PBHV9115X. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PBHV9115X

Маркировка: *4G

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.52 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 115 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: SOT-89

 Аналоги (замена) для PBHV9115X

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBHV9115X даташит

 ..1. Size:155K  philips
pbhv9115x.pdfpdf_icon

PBHV9115X

PBHV9115X 150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 10 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features and benefits High voltage Low collector-emitter saturat

 ..2. Size:155K  nxp
pbhv9115x.pdfpdf_icon

PBHV9115X

PBHV9115X 150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 10 March 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features and benefits High voltage Low collector-emitter saturat

 6.1. Size:129K  philips
pbhv9115z.pdfpdf_icon

PBHV9115X

PBHV9115Z 150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 9 January 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBHV8115Z. 1.2 Features High voltage Low collector-emitter

 6.2. Size:111K  nxp
pbhv9115t.pdfpdf_icon

PBHV9115X

PBHV9115T 150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 9 January 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement PBHV8115T. 1.2 Features High voltage Low collector-emitter satur

Другие транзисторы: PBHV2160Z, PBHV3160Z, PBHV8115X, PBHV8118T, PBHV8540X, PBHV8560Z, PBHV9040X, PBHV9050Z, D667, PBHV9414Z, PBHV9560Z, PUML1_DG, PUMX2, PUMZ2, PVR100AD-B12V, PVR100AD-B2V5, PVR100AD-B3V0

 

 

 

 

↑ Back to Top
.