Справочник транзисторов. PBHV9115X

 

Биполярный транзистор PBHV9115X Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBHV9115X
   Маркировка: *4G
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.52 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 115 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: SOT-89
 

 Аналог (замена) для PBHV9115X

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBHV9115X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  philips
pbhv9115x.pdfpdf_icon

PBHV9115X

PBHV9115X150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 10 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.1.2 Features and benefits High voltage Low collector-emitter saturat

 ..2. Size:155K  nxp
pbhv9115x.pdfpdf_icon

PBHV9115X

PBHV9115X150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 10 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.1.2 Features and benefits High voltage Low collector-emitter saturat

 6.1. Size:129K  philips
pbhv9115z.pdfpdf_icon

PBHV9115X

PBHV9115Z150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 9 January 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in aSOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBHV8115Z.1.2 Features High voltage Low collector-emitter

 6.2. Size:111K  nxp
pbhv9115t.pdfpdf_icon

PBHV9115X

PBHV9115T150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 9 January 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in aSOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBHV8115T.1.2 Features High voltage Low collector-emitter satur

Другие транзисторы... PBHV2160Z , PBHV3160Z , PBHV8115X , PBHV8118T , PBHV8540X , PBHV8560Z , PBHV9040X , PBHV9050Z , S9018 , PBHV9414Z , PBHV9560Z , PUML1_DG , PUMX2 , PUMZ2 , PVR100AD-B12V , PVR100AD-B2V5 , PVR100AD-B3V0 .

History: 2SB1694

 

 
Back to Top

 


 
.