Биполярный транзистор RT3XBBM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RT3XBBM
Маркировка: XBB
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 820
Корпус транзистора: SOT-363
RT3XBBM Datasheet (PDF)
..1. Size:182K isahaya
rt3xbbm.pdf
rt3xbbm.pdf
RT3XBBM Composite Transistor For Muting ApplicationSilicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION RT3XBBM is a composite transistor with built-in bias resistor FEATURE Built-in bias resistor ( R1=10 k) Mini package for easy mounting APPLICATION muting circuitswitching circuit TERMINAL CONNECT
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050