RT3XBBM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RT3XBBM  📄📄 

Маркировка: XBB

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 820

Корпус транзистора: SOT-363

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для RT3XBBM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3XBBM даташит

 ..1. Size:182K  isahaya
 rt3xbbm.pdf pdf_icon

RT3XBBM

RT3XBBM Composite Transistor For Muting Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION RT3XBBM is a composite transistor with built-in bias resistor FEATURE Built-in bias resistor ( R1=10 k ) Mini package for easy mounting APPLICATION muting circuit switching circuit TERMINAL CONNECT

Другие транзисторы: RT1A3906, RT1A3906-T122, RT1C3904, RT1C3904-T112, RT2A00AM1, RT2C00M, RT3W77M, RT3WLMM, BD140, RT3Y97M, RT3YA7M, RT3YB7M, RTE13LFM, RXT2222A, RXT2907A, S1015, S1815