Биполярный транзистор RT3YB7M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RT3YB7M
Маркировка: YB7
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 9 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 9 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 820
Корпус транзистора: SOT-363
RT3YB7M Datasheet (PDF)
1.1. rt3yb7m.pdf 
Size:155K _upd
RT3YB7M Composite Transistor For Muting Application DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit：mm RT3YB7M is a composite transistor built with RT1P140 and two muting transistor with resistor in SC-88 package. FEATURE ・RT3Y97M is built in RTr1 side RT1P140,and RTr2,RTr3 side composite muting transistor with resistor. ・Built-in bias resistor RTr1:R1=10kΩ RTr2,RTr3:R1=10kΩ
Другие транзисторы... RT1C3904-T112 , RT2A00AM1 , RT2C00M , RT3W77M , RT3WLMM , RT3XBBM , RT3Y97M , RT3YA7M , 2N5551 , RTE13LFM , RXT2222A , RXT2907A , S1015 , S1815 , S2000N , S2055N , S2SA1774G .
