RTE13LFM - описание и поиск аналогов

 

RTE13LFM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RTE13LFM

Маркировка: X01

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для RTE13LFM

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RTE13LFM даташит

 ..1. Size:266K  isahaya
 rte13lfm.pdf pdf_icon

RTE13LFM

PRELIMINARY RTE13LFM Composite Transistor Zener Diode Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RTE13LFM is compound transistor built with 2SC3052 chip 1.25 and 8.2V Zener diode in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION

 9.1. Size:279K  isahaya
 rte13j1m.pdf pdf_icon

RTE13LFM

PRELIMINARY RTE13J1M Composite Transistor Zener Diode Silicon P-channel MOSFET OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RTE13J1M is compound transistor built with correspond 1.25 INJ0001AX chip and 8.2V Zener diode in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting

Другие транзисторы... RT2A00AM1 , RT2C00M , RT3W77M , RT3WLMM , RT3XBBM , RT3Y97M , RT3YA7M , RT3YB7M , TIP42C , RXT2222A , RXT2907A , S1015 , S1815 , S2000N , S2055N , S2SA1774G , S2SC4617G .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.