Справочник транзисторов. RTE13LFM

 

Биполярный транзистор RTE13LFM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RTE13LFM
   Маркировка: X01
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: SOT-363
 

 Аналог (замена) для RTE13LFM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RTE13LFM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:266K  isahaya
 rte13lfm.pdf pdf_icon

RTE13LFM

PRELIMINARY RTE13LFM Composite Transistor Zener DiodeSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RTE13LFM is compound transistor built with 2SC3052 chip 1.25 and 8.2V Zener diode in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION

 9.1. Size:279K  isahaya
 rte13j1m.pdf pdf_icon

RTE13LFM

PRELIMINARY RTE13J1M Composite Transistor Zener DiodeSilicon P-channel MOSFETOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RTE13J1M is compound transistor built with correspond 1.25 INJ0001AX chip and 8.2V Zener diode in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC503Y | NA62W

 

 
Back to Top

 


 
.