RTE13LFM Todos los transistores

 

RTE13LFM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RTE13LFM
   Código: X01
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 250
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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RTE13LFM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:266K  isahaya
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RTE13LFM

PRELIMINARY RTE13LFM Composite Transistor Zener DiodeSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RTE13LFM is compound transistor built with 2SC3052 chip 1.25 and 8.2V Zener diode in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION

 9.1. Size:279K  isahaya
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RTE13LFM

PRELIMINARY RTE13J1M Composite Transistor Zener DiodeSilicon P-channel MOSFETOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RTE13J1M is compound transistor built with correspond 1.25 INJ0001AX chip and 8.2V Zener diode in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting

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