RTE13LFM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RTE13LFM  📄📄 

Código: X01

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 250

Encapsulados: SOT-363

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RTE13LFM datasheet

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RTE13LFM

PRELIMINARY RTE13LFM Composite Transistor Zener Diode Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RTE13LFM is compound transistor built with 2SC3052 chip 1.25 and 8.2V Zener diode in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION

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RTE13LFM

PRELIMINARY RTE13J1M Composite Transistor Zener Diode Silicon P-channel MOSFET OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RTE13J1M is compound transistor built with correspond 1.25 INJ0001AX chip and 8.2V Zener diode in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting

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