RTE13LFM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RTE13LFM
Código: X01
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 250
Empaquetado / Estuche: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar RTE13LFM
RTE13LFM Datasheet (PDF)
1.1. rte13lfm.pdf 
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PRELIMINARY RTE13LFM Composite Transistor Zener Diode Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit：mm DESCRIPTION 2.1 RTE13LFM is compound transistor built with 2SC3052 chip 1.25 and 8.2V Zener diode in SC-88 package. ① ⑥ FEATURE ② ⑤ Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. ④ ③ Mini package for easy mounting APPLICATION
5.1. rte13j1m.pdf Size:279K _upd
PRELIMINARY RTE13J1M Composite Transistor Zener Diode Silicon P-channel MOSFET OUTLINE DRAWING Unit：mm DESCRIPTION 2.1 RTE13J1M is compound transistor built with correspond 1.25 INJ0001AX chip and 8.2V Zener diode in SC-88 package. ① ⑥ FEATURE Silicon epitaxial type ② ⑤ Each transistor elements are independent. ④ ③ Mini package for easy mounting
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