S2000N - описание и поиск аналогов

 

S2000N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: S2000N

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 95 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4.5

Корпус транзистора: TO-3PH

 Аналоги (замена) для S2000N

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

S2000N даташит

 ..1. Size:221K  savantic
s2000n.pdfpdf_icon

S2000N

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors S2000N DESCRIPTION With TO-3P(H)IS package High voltage,high speed Low collector saturation voltage APPLICATIONS Color TV horizontal output applications Color TV switching regulator applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbo

 ..2. Size:118K  inchange semiconductor
s2000n.pdfpdf_icon

S2000N

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors S2000N DESCRIPTION With TO-3P(H)IS package High voltage,high speed Low collector saturation voltage APPLICATIONS Color TV horizontal output applications Color TV switching regulator applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol

 9.1. Size:59K  st
s2000afi.pdfpdf_icon

S2000N

S2000AFI HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE HIGH VOLTAGE CAPABILITY U.L. RECOGNISED ISOWATT218 PACKAGE (U.L. FILE # E81734 (N). APPLICATIONS HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR 3 TV 2 1 DESCRIPTION The S2000AFI is manufactured using ISOWATT218 Multiepitaxial Mesa technology for cost-effective high performance and use

 9.2. Size:216K  st
s2000af.pdfpdf_icon

S2000N

S2000AF High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display Features State-of-the-art technology Diffused collector Enhanced generation Stable performances versus operating temperature variation Low base-drive requirement 3 2 Tigh hFE range at operating collector current 1 High ruggedness ISOWATT218FX Fully insulated power pac

Другие транзисторы... RT3Y97M , RT3YA7M , RT3YB7M , RTE13LFM , RXT2222A , RXT2907A , S1015 , S1815 , 2N2222A , S2055N , S2SA1774G , S2SC4617G , S-L2SA2030M3T5G , S-L2SC3837T1G , UD2195 , UMF21N , UMF5N .

History: 2SC118H | S-L2SA2030M3T5G | 2SC1189

 

 

 


 
↑ Back to Top
.