Справочник транзисторов. S2000N

 

Биполярный транзистор S2000N Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: S2000N
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 95 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4.5
   Корпус транзистора: TO-3PH
 

 Аналог (замена) для S2000N

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

S2000N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:221K  savantic
s2000n.pdfpdf_icon

S2000N

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors S2000N DESCRIPTION With TO-3P(H)IS package High voltage,high speed Low collector saturation voltage APPLICATIONS Color TV horizontal output applications Color TV switching regulator applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbo

 ..2. Size:118K  inchange semiconductor
s2000n.pdfpdf_icon

S2000N

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors S2000N DESCRIPTION With TO-3P(H)IS package High voltage,high speed Low collector saturation voltage APPLICATIONS Color TV horizontal output applications Color TV switching regulator applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol

 9.1. Size:59K  st
s2000afi.pdfpdf_icon

S2000N

S2000AFI HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPE HIGH VOLTAGE CAPABILITY U.L. RECOGNISED ISOWATT218 PACKAGE(U.L. FILE # E81734 (N).APPLICATIONS: HORIZONTAL DEFLECTION FOR COLOUR3TV21DESCRIPTIONThe S2000AFI is manufactured usingISOWATT218Multiepitaxial Mesa technology for cost-effectivehigh performance and use

 9.2. Size:216K  st
s2000af.pdfpdf_icon

S2000N

S2000AFHigh voltage NPN power transistor for standarddefinition CRT displayFeatures State-of-the-art technology: Diffused collector Enhanced generation Stable performances versus operating temperature variation Low base-drive requirement32 Tigh hFE range at operating collector current1 High ruggednessISOWATT218FX Fully insulated power pac

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: RT3N66M

 

 
Back to Top

 


 
.