S-L2SA2030M3T5G - описание и поиск аналогов

 

S-L2SA2030M3T5G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: S-L2SA2030M3T5G

Маркировка: BW

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 260 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270

Корпус транзистора: SOT-723

 Аналоги (замена) для S-L2SA2030M3T5G

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

S-L2SA2030M3T5G даташит

 0.1. Size:125K  lrc
s-l2sa2030m3t5g.pdfpdf_icon

S-L2SA2030M3T5G

LESHAN RADIO COMP ANY, LTD. Low frequency transistor The transistor of 500mA class which went only into 2125 size conventionally was attained in 1608 sizes or 1208 sizes. Applications For switching, for muting. PNP Features L2SA2030M3T5G 1) A collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. S-L2SA2030M3T5G VCE (sat) 250mA At IC = -200mA / IB = -10mA

 9.1. Size:94K  lrc
s-l2sc3837t1g.pdfpdf_icon

S-L2SA2030M3T5G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor Features L2SC3837T1G 1.High transition frequency.(Typ.fT=1.5GHz) 2.Small rbb Cc and high gain.(Typ.6ps) S-L2SC3837T1G 3.Small NF. 4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 5.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101

 9.2. Size:311K  lrc
l2sk3018wt1g s-l2sk3018wt1g.pdfpdf_icon

S-L2SA2030M3T5G

L2SK3018WT1G S-L2SK3018WT1G N-channel MOSFET 100 mA, 30 V 1. FEATURES We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 SC70(SOT-323) qualified and PPAP capable. Low on-resistance. Drain (3) Fast switching sp

Другие транзисторы... RXT2222A , RXT2907A , S1015 , S1815 , S2000N , S2055N , S2SA1774G , S2SC4617G , 2SC2073 , S-L2SC3837T1G , UD2195 , UMF21N , UMF5N , BCR108F , BCR112W , BCR116S , BCR119F .

History: 2SC118H

 

 

 


 
↑ Back to Top
.