Справочник транзисторов. S-L2SC3837T1G

 

Биполярный транзистор S-L2SC3837T1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: S-L2SC3837T1G
   Маркировка: H15
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
   Корпус транзистора: SOT-457

 Аналоги (замена) для S-L2SC3837T1G

 

 

S-L2SC3837T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  lrc
s-l2sc3837t1g.pdf

S-L2SC3837T1G
S-L2SC3837T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High-Frequency AmplifierTransistor FeaturesL2SC3837T1G1.High transition frequency.(Typ.fT=1.5GHz)2.Small rbb`Cc and high gain.(Typ.6ps)S-L2SC3837T1G3.Small NF.4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.5.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101

 9.1. Size:125K  lrc
s-l2sa2030m3t5g.pdf

S-L2SC3837T1G
S-L2SC3837T1G

LESHAN RADIO COMP ANY, LTD. Low frequency transistor The transistor of 500mA class which went only into 2125 size conventionally was attained in 1608 sizes or 1208 sizes. Applications For switching, for muting. PNP Features L2SA2030M3T5G1) A collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. S-L2SA2030M3T5GVCE (sat) 250mA At IC = -200mA / IB = -10mA

 9.2. Size:311K  lrc
l2sk3018wt1g s-l2sk3018wt1g.pdf

S-L2SC3837T1G
S-L2SC3837T1G

L2SK3018WT1GS-L2SK3018WT1GN-channel MOSFET100 mA, 30 V1. FEATURESWe declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free.S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101SC70(SOT-323) qualified and PPAP capable.Low on-resistance.Drain (3)Fast switching sp

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: D42C8

 

 
Back to Top