Биполярный транзистор BCR108F Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BCR108F
Маркировка: WHs
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TSFP-3
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BCR108F Datasheet (PDF)
bcr108f.pdf

BCR108...NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2 k, R2=47 k) BCR108S: Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package BCR108S: For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified accord
bcr108s.pdf

BCR 108SNPN Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Two (galvanic) internal isolated Transistors in on package Built in bias resistor (R1=2.2k, R2=47k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 108S WHs Q62702-C2414 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363Maximum RatingsParameter Symbol Values U
bcr108w.pdf

BCR 108WNPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2k, R2=47k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 108W WHs Q62702-C2275 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-ba
bcr108.pdf

BCR 108NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2k, R2=47k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 108 WHs Q62702-C2253 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BCM856BS-DG | BCP5116TC | BCF81 | BD935
History: BCM856BS-DG | BCP5116TC | BCF81 | BD935



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet