BCR169W datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BCR169W 📄📄
Маркировка: WS_WSs
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120
Корпус транзистора: SOT-323
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для BCR169W
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BCR169W даташит
bcr169w.pdf
BCR 169W PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1 = 4.7k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 169W WSs UPON INQUIRY 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base voltag
bcr169w.pdf
BCR169... PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1 = 4.7 k ) BCR169S Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package BCR169S For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101
bcr169.pdf
BCR 169 PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1 = 4.7k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 169 WSs Q62702-C2340 1=B 2=E 3=C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base voltage VEBO 5
bcr169s.pdf
BCR 169S PNP Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Two (galvanic) internal isolated Transistors in one package Built in bias resistor (R1=4.7k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 169S WSs UPON INQUIRY 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Colle
Другие транзисторы: BCR112W, BCR116S, BCR119F, BCR119W, BCR129, BCR129S, BCR129W, BCR148F, BD135, BCR183U, BCR183W, BCR185F, BCR191W, BCR192W, BCR196F, BCR523U, CHDTA113TKGP
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: 2SD223 | ESM400 | 2SC2714O | 2SC4102FRA | BF758BA | NB112EH | 2SB279
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement










