BCR169W - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

BCR169W - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BCR169W
   Маркировка: WS_WSs
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT-323

 Аналоги (замена) для BCR169W

 

BCR169W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:34K  siemens
bcr169w.pdfpdf_icon

BCR169W

BCR 169W PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1 = 4.7k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 169W WSs UPON INQUIRY 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base voltag

 ..2. Size:865K  infineon
bcr169w.pdfpdf_icon

BCR169W

BCR169... PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1 = 4.7 k ) BCR169S Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package BCR169S For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101

 8.1. Size:34K  siemens
bcr169.pdfpdf_icon

BCR169W

BCR 169 PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1 = 4.7k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 169 WSs Q62702-C2340 1=B 2=E 3=C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base voltage VEBO 5

 8.2. Size:42K  siemens
bcr169s.pdfpdf_icon

BCR169W

BCR 169S PNP Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Two (galvanic) internal isolated Transistors in one package Built in bias resistor (R1=4.7k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 169S WSs UPON INQUIRY 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Colle

Другие транзисторы... BCR112W , BCR116S , BCR119F , BCR119W , BCR129 , BCR129S , BCR129W , BCR148F , BD135 , BCR183U , BCR183W , BCR185F , BCR191W , BCR192W , BCR196F , BCR523U , CHDTA113TKGP .

History: CHT5988ZGP | CHT2222AGP-A

 

 
Back to Top

 


 
.