BCR169W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BCR169W  📄📄 

Маркировка: WS_WSs

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT-323

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BCR169W

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCR169W даташит

 ..1. Size:34K  siemens
bcr169w.pdfpdf_icon

BCR169W

BCR 169W PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1 = 4.7k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 169W WSs UPON INQUIRY 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base voltag

 ..2. Size:865K  infineon
bcr169w.pdfpdf_icon

BCR169W

BCR169... PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1 = 4.7 k ) BCR169S Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package BCR169S For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101

 8.1. Size:34K  siemens
bcr169.pdfpdf_icon

BCR169W

BCR 169 PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1 = 4.7k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 169 WSs Q62702-C2340 1=B 2=E 3=C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base voltage VEBO 5

 8.2. Size:42K  siemens
bcr169s.pdfpdf_icon

BCR169W

BCR 169S PNP Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Two (galvanic) internal isolated Transistors in one package Built in bias resistor (R1=4.7k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 169S WSs UPON INQUIRY 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Colle

Другие транзисторы: BCR112W, BCR116S, BCR119F, BCR119W, BCR129, BCR129S, BCR129W, BCR148F, BD135, BCR183U, BCR183W, BCR185F, BCR191W, BCR192W, BCR196F, BCR523U, CHDTA113TKGP