CHDTC363EKGP - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

CHDTC363EKGP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CHDTC363EKGP
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 6.8 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 6.8 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для CHDTC363EKGP

 

CHDTC363EKGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  chenmko
chdtc363ekgp.pdfpdf_icon

CHDTC363EKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC363EKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 600 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabi

 5.1. Size:138K  chenmko
chdtc363eugp.pdfpdf_icon

CHDTC363EKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC363EUGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 600 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-70/SOT-323) SC-70/SOT-323 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation

 6.1. Size:92K  chenmko
chdtc363tkgp.pdfpdf_icon

CHDTC363EKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC363TKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 600 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation(VCE(sat)=40mV at IC/IB=50mA/2.5mA

 8.1. Size:90K  chenmko
chdtc314tkgp.pdfpdf_icon

CHDTC363EKGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHDTC314TKGP SURFACE MOUNT NPN Digital Silicon Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 600 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-23) SOT-23 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation(VCE(sat)=40mV at IC/IB=50mA/2.5mA

Другие транзисторы... CHDTC144VUGP , CHDTC144WEGP , CHDTC144WKGP , CHDTC144WUGP , CHDTC314TKGP , CHDTC314TUGP , CHDTC323TKGP , CHDTC323TUGP , C5198 , CHDTC363EUGP , CHDTC363TKGP , CHDTC614TKGP , CHDTC614TUGP , CHDTC623TKGP , CHEMA11GP , CHEMA2GP , CHEMA3GP .

 

 
Back to Top

 


 
.