2S3230. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2S3230
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.25 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25
Корпус транзистора: TO1
Аналоги (замена) для 2S3230
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
2S3230 даташит
2s323a.pdf
2S323A Dimensions in mm (inches). 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Bipolar NPN Device in a 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Hermetically sealed TO5 Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 0.89 (0.035)max. 38.00 Bipolar NPN Device. (1.5) 0.41 (0.016) min. 0.53 (0.021) dia. VCEO = 25V 5.08 (0.200) IC = 0.05A typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3 can
Другие транзисторы... 2S32 , 2S321 , 2S3210 , 2S322 , 2S3220 , 2S3221 , 2S322A , 2S323 , 431 , 2S324 , 2S3240 , 2S325 , 2SB647-B , 2S326 , 2SB647A-C , 2S327 , 2SB647A-B .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906

