2S3230 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2S3230  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.25 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2S3230

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2S3230 даташит

 9.1. Size:10K  semelab
 2s323a.pdf pdf_icon

2S3230

2S323A Dimensions in mm (inches). 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Bipolar NPN Device in a 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Hermetically sealed TO5 Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 0.89 (0.035)max. 38.00 Bipolar NPN Device. (1.5) 0.41 (0.016) min. 0.53 (0.021) dia. VCEO = 25V 5.08 (0.200) IC = 0.05A typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3 can

Другие транзисторы: 2S32, 2S321, 2S3210, 2S322, 2S3220, 2S3221, 2S322A, 2S323, TIP127, 2S324, 2S3240, 2S325, 2SB647-B, 2S326, 2SB647A-C, 2S327, 2SB647A-B