Биполярный транзистор DMC2610E Даташит. Аналоги
Наименование производителя: DMC2610E
Маркировка: R1
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: MINI5-G3-B
- подбор биполярного транзистора по параметрам
DMC2610E Datasheet (PDF)
dmc2610e.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMC2610ESilicon NPN epitaxial planar typeFor digital circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Mini5-G3-B Eco-friendly Halogen-free package Pin Name 1: Base (Tr1) 4: Collector (Tr2)
fdmc2610.pdf

January 2007FDMC2610tmN-Channel UltraFET Trench MOSFET 200V, 9.5A, 200mFeatures General Description Max rDS(on) = 200m at VGS = 10V, ID = 2.2AThis N-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductors advanced Power Trench Max rDS(on) = 215m at VGS = 6V, ID = 1.5Aprocess. It has been optimized for power management Low Profile - 1mm max in a Pow
dmc26100.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMC26100Silicon NPN epitaxial planar typeFor digital circuits Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Mini5-G3-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Pin Name
dmc26106.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DMC26106Silicon NPN epitaxial planar typeFor digital circuits Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Mini5-G3-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Pin Name
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: 9018E | 2SD569Y | BUR606D | ESM2894 | BU931ZP | 2SD1074 | 2SC2408
History: 9018E | 2SD569Y | BUR606D | ESM2894 | BU931ZP | 2SD1074 | 2SC2408



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055