DMC2610E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMC2610E

Маркировка: R1

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: MINI5-G3-B

 Аналоги (замена) для DMC2610E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DMC2610E даташит

 ..1. Size:357K  panasonic
dmc2610e.pdfpdf_icon

DMC2610E

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DMC2610E Silicon NPN epitaxial planar type For digital circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Mini5-G3-B Eco-friendly Halogen-free package Pin Name 1 Base (Tr1) 4 Collector (Tr2)

 7.1. Size:396K  fairchild semi
fdmc2610.pdfpdf_icon

DMC2610E

January 2007 FDMC2610 tm N-Channel UltraFET Trench MOSFET 200V, 9.5A, 200m Features General Description Max rDS(on) = 200m at VGS = 10V, ID = 2.2A This N-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench Max rDS(on) = 215m at VGS = 6V, ID = 1.5A process. It has been optimized for power management Low Profile - 1mm max in a Pow

 7.2. Size:359K  panasonic
dmc26100.pdfpdf_icon

DMC2610E

 7.3. Size:356K  panasonic
dmc26106.pdfpdf_icon

DMC2610E

Другие транзисторы: DMA9640T, DMC26100, DMC26101, DMC26102, DMC26103, DMC26104, DMC26105, DMC26106, BD140, DMC26400, DMC26401, DMC26402, DMC26403, DMC26404, DMC26405, DMC26406, DMC2640F