DRA5L14Y datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DRA5L14Y
Маркировка: K4
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80
Корпус транзистора: SMINI3-F2-B
Аналоги (замена) для DRA5L14Y
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
DRA5L14Y даташит
dra5l14y.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA5L14Y Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits DRA2L14Y in SMini3 type package Features Package Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Code Eco-friendly Halogen-free package SMini3-F2-B Pin Name Packaging 1 Base Embossed type (Thermo-compres
Другие транзисторы: DRA5A23Y, DRA5A24E, DRA5A43E, DRA5A43T, DRA5A43X, DRA5A43Z, DRA5A44E, DRA5A44W, D880, DRA9113Z, DRA9114E, DRA9114T, DRA9114Y, DRA9115E, DRA9115G, DRA9115T, DRA9123E
History: MQ6076
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet

