DRA5L14Y Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DRA5L14Y 📄📄
Código: K4
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 80
Encapsulados: SMINI3-F2-B
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DRA5L14Y datasheet
dra5l14y.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DRA5L14Y Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits DRA2L14Y in SMini3 type package Features Package Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Code Eco-friendly Halogen-free package SMini3-F2-B Pin Name Packaging 1 Base Embossed type (Thermo-compres
Otros transistores... DRA5A23Y, DRA5A24E, DRA5A43E, DRA5A43T, DRA5A43X, DRA5A43Z, DRA5A44E, DRA5A44W, D880, DRA9113Z, DRA9114E, DRA9114T, DRA9114Y, DRA9115E, DRA9115G, DRA9115T, DRA9123E
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: 2SC634SP | NB113H | NB211YI | BFX41 | MJD41CTF | 2N5775 | RN2407
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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