2SA1011E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA1011E  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA1011E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1011E даташит

 7.1. Size:42K  sanyo
 2sa1011 2sc2344.pdf pdf_icon

2SA1011E

Ordering number ENN544G PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1011/2SC2344 High-Voltage Switching, AF Power Amp, 100W Output Predriver Applications Package Dimensions unit mm 2010C [2SA1011/2SC2344] 10.2 4.5 3.6 5.1 1.3 1.2 0.8 0.4 1 2 3 1 Base ( ) 2SA1011 2 Collector 3 Emitter 2.55 2.55 Specifications SANYO TO220AB Absolute Maximum Ratings at Ta = 2

 7.2. Size:211K  jmnic
 2sa1011.pdf pdf_icon

2SA1011E

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1011 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC2344 APPLICATIONS High voltage switching , Audio frequency power amplifier; 100W output predriver applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PA

 7.3. Size:186K  lzg
 2sa1011 3ca1011.pdf pdf_icon

2SA1011E

2SA1011(3CA1011) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR 100W Purpose High voltage switching, AF power amplifier, 100W output predriver applications. 2SC2344(3DA2344) Features complementary pair with 2SC2344(3DA2344). /Absolute maximum ratings(Ta=25 )

 7.4. Size:203K  inchange semiconductor
 2sa1011.pdf pdf_icon

2SA1011E

sc Silicon PNP Power Transistor 2SA1011 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -0.5V(Typ.)@ I = -0.5A CE(sat) C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -160V(Min.) (BR)CEO Complement to Type 2SC2344 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high-voltage switching, audio frequency power ampl

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA1007A, 2SA1008, 2SA1009, 2SA1009A, 2SA101, 2SA1010, 2SA1011, 2SA1011D, 2SC2383, 2SA1012, 2SA1012O, 2SA1012Y, 2SA1013, 2SA1013O, 2SA1013R, 2SA1014, 2SA1015